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专利号: 2018115317953
申请人: 衡阳师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.环形电极提高氡析出率测量仪对218Po收集效率的测量腔,其特征是:包括腔体、绝缘端盖、半导体探测器、第一环形电极及金属滤网;

腔体为两端开口的圆柱形,其内壁为导电层,导电层的内径为D2,金属滤网安装在腔体的底部,并与导电层的底部端面紧密接触,腔体内腔高度为6-25厘米;

半导体探测器安装在绝缘端盖上的中心部位,半导体探测器探头的直径为D1,第一环形电极安装在绝缘端盖下部,第一环形电极的内圈大于D1,第一环形电极的外圈小于D2,第一环形电极上的接线柱穿过绝缘端盖暴露在绝缘端盖的上部;

绝缘端盖通过螺钉固定在腔体的开口端。

2.采用如权利要求1所述的测量腔提高静氡析出率测量仪对218Po收集效率的方法,其特征是:A、将半导体探测器、腔体内壁的导电层及第一环形电极上的接线柱分别通过导线与高压模块连接,再将半导体探测器与二次仪表连接,将测量腔放入氡室,氡室内的含氡空气通过测量腔腔体底部的金属滤网进入腔体,使得腔体内的氡浓度与氡室内的氡浓度相同;

B、通过高压模块调节腔体内导电层与半导体探测器之间电压,利用二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率,计数率随电压的升高而升高,当继续调高电压而计数率基本不变时,停止调节导电层和半导体探测器之间电压;

C、通过高压模块调节腔体内导电层与第一环形电极表面之间电压,利用二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率,当计数率达到最大值后,停止调节导电层与第一环形电极表面之间电压;

D、测量腔调整好后,将测量腔直接紧扣在待测介质表面上,待测介质表面析出的氡通过金属滤网滤除带正电的氡子体后进入测量腔,通过二次仪表测量测量腔内的氡浓度变化规律,然后通过数据拟合计算出氡析出率。

3.如权利要求1所述的测量腔,其特征是:在绝缘端盖上,围绕着第一环形电极,增设有复数个环形电极,在相邻两个环形电极之间,里面一个环形电极的外圈小于外面一个环形电极的内圈,最外面一个环形电极的外圈小于D2。

4.采用如权利要求3所述的测量腔提高静氡析出率测量仪对218Po收集效率的方法,其特征是:A、将半导体探测器、腔体内壁的导电层及各环形电极上的接线柱分别通过导线与高压模块连接,再将半导体探测器与二次仪表连接,将测量腔放入氡室,氡室内的含氡空气通过测量腔腔体底部的金属滤网进入腔体,使得腔体内的氡浓度与氡室内的氡浓度相同;

B、通过高压模块调节腔体内导电层与半导体探测器之间电压,利用二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率,计数率随电压的升高而升高,当继续调高电压而计数率基本不变时,停止调节导电层与半导体探测器之间电压;

C、通过高压模块依次分别调节腔体内导电层与各环形电极表面之间电压,利用二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率,当计数率达到最大值后,停止调节导电层与各环形电极表面之间电压;

D、测量腔调整好后,将测量腔直接紧扣在待测介质表面上,待测介质表面析出的氡通过金属滤网滤除带正电的氡子体后进入测量腔,通过二次仪表测量测量腔内的氡浓度变化规律,然后通过数据拟合计算出氡析出率。