1.一种光刻效率调节方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

获取半导体晶圆的第一工艺窗口，所述第一工艺窗口包括聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围；

在所述第一工艺窗口内，选择参考聚焦深度，获取与所述参考聚焦深度相对应的参考透镜数值孔径；

在所述第一工艺窗口内，选择第二工艺窗口，所述第二工艺窗口包括聚焦深度的第二范围及曝光剂量的第二范围，其中，所述曝光剂量的第二范围与所述曝光剂量的第一范围相同，且所述聚焦深度的第二范围的下限小于所述参考聚焦深度；

在所述第二工艺窗口的所述聚焦深度的第二范围内，选择工作聚焦深度，获取与所述工作聚焦深度相对应的工作透镜数值孔径，且所述工作透镜数值孔径大于所述参考透镜数值孔径。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述参考聚焦深度包括所述聚焦深度的第一范围的中间值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：获取所述第一工艺窗口的方法包括采用聚焦与曝光量矩阵的方法。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述聚焦与曝光量矩阵的方法包括以下步骤：将所述半导体晶圆划分为M行N列的不同区域，其中，M≥20，N≥6；

对所述半导体晶圆的不同区域进行光刻，获取各个区域的光刻图像，其中，包括在所述M行的方向上的不同区域中，选用不同的聚焦深度；在所述N列的方向上的不同区域中，选用不同的曝光剂量；

测量各个区域形成的所述光刻图像的关键尺寸；

选择所需的所述光刻图像的关键尺寸，获取所述第一工艺窗口中的所述聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：获取所述聚焦深度的第二范围的方法包括将满足关键尺寸的所述聚焦深度的第一范围按所述关键尺寸的5％～95％的比例缩小所得的聚焦深度的范围。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使所述工作透镜数值孔径大于所述参考透镜数值孔径的方法包括手动调节及自动调节中的一种或组合。

7.一种光刻效率调节装置，其特征在于，所述装置包括：

第一获取模块，用于获取半导体晶圆的第一工艺窗口，所述第一工艺窗口包括聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围；

第二获取模块，用于在所述第一工艺窗口内，选择参考聚焦深度，获取与所述参考聚焦深度相对应的参考透镜数值孔径；

第一选择模块，用于在所述第一工艺窗口内，选择第二工艺窗口，所述第二工艺窗口包括聚焦深度的第二范围及曝光剂量的第二范围，其中，所述曝光剂量的第二范围与所述曝光剂量的第一范围相同，且所述聚焦深度的第二范围的下限小于所述参考聚焦深度；

第二选择模块，用于在所述第二工艺窗口的所述聚焦深度的第二范围内，选择工作聚焦深度，获取与所述工作聚焦深度相对应的工作透镜数值孔径，且所述工作透镜数值孔径大于所述参考透镜数值孔径。

8.根据权利要求7所述的光刻效率调节装置，其特征在于：所述第一选择模块包括缩小单元，所述缩小单元用于将满足关键尺寸的所述聚焦深度的第一范围按所述关键尺寸的

5％～95％的比例缩小所得的聚焦深度的范围。

9.一种服务器，其特征在于，所述服务器包括：采集器、存储器和处理器，所述采集器用于采集聚焦深度和曝光剂量，所述采集器、所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1～6中任一所述的光刻效率调节方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1～6中任一所述的光刻效率调节方法。