1.一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)以导电玻璃FTO为基底，铂片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以含硝酸铋和碘化钾的酸性溶液与对苯醌的乙醇溶液混合作为电解液，采用-0.1V恒电位电沉积法制作出碘氧化铋光电极；

(2)在步骤(1)所得碘氧化铋电极上滴加乙酰丙酮钼和乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液，然后升温至450℃，恒温保持1.5～2.5小时，冷却至室温，用碱溶液浸泡后，清洗、干燥，得到掺钼钒酸铋光电极；

(3)以步骤(2)所得掺钼钒酸铋光电极为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极构成三电极体系，以含有4～6mmol/L金属钴盐、0.075～0.15mol/L磷酸盐的水溶液为电解质，在模拟太阳光照射下，采用恒电位法进行沉积，沉积时间取120～140s之间，待沉积后取出工作电极，经去离子水洗涤、干燥，即得磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极。

2.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述乙酰丙酮钼的二甲基亚砜溶液中乙酰丙酮钼的浓度为2～3mmol/L，而所述的乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液中乙酰丙酮氧钒的浓度为0.15～0.25mol/L。

3.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中升温处理条件为空气气氛中450℃，保温1.5～2.5小时。

4.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的升温速率控制为1.5～3℃/min。

5.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液的一种。

6.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的金属钴盐为硝酸钴、硫酸钴、氯化钴中的一种，浓度为5mmol/L。

7.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的磷酸盐为磷酸钠或磷酸钾中的一种，浓度为0.1mmol/L。

8.根据权利要求1所述的磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的恒电位为0.35V～0.45V之间的任一电位，沉积时间为120～140s。