1.具有均匀致密TiB2层的钛基阴极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对表面已处理干净的钛基体进行渗硼处理，电解质组分及质量分数为，70-80％的无水硼砂，10-15％的无水碳酸钾和10-15％的B4C，以石墨坩埚为阳极，金属钛板为阴极，控制阴极电流密度为100mA～200mA/cm2，熔盐电解质的温度为850℃～950℃，通电0.5～5小时，从而获得TiB2-TiB/Ti梯度复合材料；

(2)将步骤(1)得到的TiB2-TiB/Ti梯度复合材料进行无损伤化清理，清理干净表面的杂质；

(3)将经步骤(2)处理干净后的TiB2-TiB/Ti梯度复合材料进行熔盐电沉积TiB2，在硼的氧化物体系或者碱金属的氟硼酸盐、氟钛酸盐体系中，以石墨坩埚为阳极，TiB2-TiB/Ti梯度复合材料为阴极，温度为750-850℃，电流密度为0.08-0.12A/cm2的直流或者脉冲电流中处理1-2小时，获得表面电沉积了TiB2镀层的TiB2-TiB/Ti梯度复合材料，即得具有均匀致密TiB2层的钛基阴极材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，TiB2-TiB/Ti梯度复合材料进行无损伤化清理方法为：将TiB2-TiB/Ti梯度复合材料在0.5-3mol/L的氢氧化钠溶液煮沸50-75min，再在清水中常温浸泡100-140min，然后在0.5-2mol/L的盐酸中常温处理

4-6min，最后在清水中使用超声波清洗干净。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述干净的TiB2-TiB/Ti梯度复合材料是在NaCl-KCl-NaF-KBF4-K2TiF6熔盐电解质体系中，在800℃的温度下和0.1A/cm2的脉冲电流中处理2小时。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述NaCl-KCl-NaF-KBF4-K2TiF6熔盐电解质体系中，各组分的摩尔比为NaCl:KCl:NaF:KBF4:K2TiF6＝12:15:20:10:3。

5.由权利要求1-4中任一项制备得到的具有均匀致密TiB2层的钛基阴极材料。