1.一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池，其特征在于：包括作为阳极的导电玻璃和电子传输层，作为光吸收层的硫化锑薄膜，作为对电极的碳层。

2.如权利要求1所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池，其特征在于：所述电子传输层为二氧化钛薄膜。

3.如权利要求2所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池，其特征在于：所述二氧化钛薄膜厚度为20-40 nm；所述硫化锑薄膜厚度为120-150 nm；所述碳层厚度为1-2 mm。

4.一种如权利要求1所述的碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）电子传输层的制备步骤：在洁净的FTO导电基底上通过旋涂TiO2溶胶-凝胶前驱液之后在空气下退火，制得涂有TiO2薄膜的导电基底；

（2）硫化锑薄膜光吸收层的制备步骤：将Na2S2O3溶液中置于小于5 oC的冰浴中，然后向Na2S2O3溶液中逐滴滴加SbCl3的丙酮溶液并利用磁力搅拌器进行搅拌，滴加完SbCl3的丙酮溶液后，待溶液变成橙色时，将步骤（1）制得的涂有TiO2薄膜的导电基底倒置悬空置于该溶液中并反应1.5小时，得到橙色非晶态Sb2S3 薄膜，接着用去离子水冲洗样品并用氮气吹干，然后在氮气手套箱中利用加热板中进行退火得到结晶态Sb2S3薄膜；

（3）碳对电极的制备：将碳浆料通过刮涂法，喷墨打印法或丝网印刷法覆盖在步骤（2）得到的Sb2S3薄膜表面，然后进行退火处理。

5.如权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）电子传输层的制备前先对FTO导电薄膜进行的处理，所述FTO导电薄膜处理的步骤为：将FTO导电玻璃经玻璃清洗剂、丙酮和异丙醇超声清洗干净，氮气吹干，紫外-臭氧处理30分钟。

6.如权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）的退火处理的温度为450 oC，退火时间为30 分钟。

7.如权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中Na2S2O3与SbCl3的摩尔比为0.09:0.0028。

8.如权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）的退火温度为350 oC，退火时间为30 分钟。

9.如权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）退火处理的温度为70-125oC，退火时间为15-60分钟。

10.权利要求4所述的一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述碳浆为低温固化热塑性树脂与碳粉以1:1为质量比通过精细研磨而成。