1.一种高强度强立方织构层状复合基带，包括带材基体和均为单面沉积的两层合金薄膜，其中，所述带材基体是钨原子百分含量为12 14%的镍钨合金，厚度为90 100μm，所述两~ ~层合金薄膜中的一层合金薄膜是以磁控溅射的方法沉积在所述带材基体单面上的30nm厚的Ti-V-Cr-Zr合金薄膜，该Ti-V-Cr-Zr合金薄膜的每种元素的原子百分含量均为25%，纯度均为99.9%以上，所述两层合金薄膜中的另一层合金薄膜是以磁控溅射的方法沉积在所述Ti-V-Cr-Zr合金薄膜上的Cu-Ni-W合金薄膜，在该Cu-Ni-W合金薄膜中Ni的原子百分含量为

35%，W的原子百分含量为1 3%，厚度为10 30nm，并且所述复合基带经高温快速热处理，工艺~ ~为：到温入炉的退火方式，在1200℃保温1 3min，退火气氛为纯氢气。

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2.一种根据权利要求1所述的高强度强立方织构层状复合基带的制备方法，包括以下步骤：（1）合金熔炼及热轧

采用连铸技术获得钨原子百分含量为12 14%镍钨合金铸锭，厚度为500 700mm，然后直~ ~接进行粗轧至50 70mm厚，工艺为：1290℃保温20分钟，轧制道次为5道次，然后在1250℃保~温20min进行精轧至12mm厚，轧制道次为3道次，最后一道次热轧后立即水淬获得热轧板；

（2）热轧板的冷轧

将上述热轧板表面打磨去氧化皮后进行冷轧，最终冷轧至90 100μm厚，得到冷轧带材；

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（3）合金薄膜的沉积

在上述冷轧带材表面采用磁控溅射的方法沉积30nm厚的合金薄膜，该合金薄膜的成分为Ti-V-Cr-Zr，每种元素的原子百分含量均为25%，纯度均为99.9%以上，然后在Ti-V-Cr-Zr合金薄膜表面采用磁控溅射的方法沉积Cu-Ni-W合金薄膜，其中Ni的原子百分含量为35%，W的原子百分含量为1 3%，厚度为10 30nm，两种薄膜均为单面沉积，获得具有多层薄膜结构~ ~的复合带材；以及

（4）合金薄膜的热处理

将上述复合带材进行热处理，工艺为：到温入炉的退火方式，在1200℃保温1 3min，退~火气氛为纯氢气，最终获得高性能的复合基带。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤（1）中，采用连铸技术获得钨原子百分含量为12 14%镍钨合金铸锭，厚度为600mm，然后直接进行粗轧至60mm厚。

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4.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤（2）中，最终冷轧至95μm厚。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤（3）中，所述Cu-Ni-W合金薄膜中W的原子百分含量为1%，厚度为30nm。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤（4）中，所述热处理为在1200℃保温

2min。