1.一种深紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；

所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；

所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；

所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；

所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；

所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。

2.根据权利要求1所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述外延芯片本体还包括第二外延层；

所述第二外延层包括依次叠加设置的n-型AlGaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层；

所述第二外延层设置于所述第一外延层与所述电极板之间；

所述n-型AlGaN层与所述n+型AlGaN层叠加设置。

3.根据权利要求2所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述第二外延层设置有纳米柱；

所述纳米柱贯穿于所述n-型AlGaN层、所述多量子阱有源区、所述p型AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层；

所述纳米柱为纳米级空隙，所述纳米级空隙的宽度由所述n-型AlGaN层至所述p型GaN层依次变大。

4.根据权利要求3所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述外延芯片本体还包括第二衬底；

所述第二衬底通过键合层设置于所述第二外延层与所述电极板之间。

5.根据权利要求4所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述第二衬底朝向所述电极板的表面叠加设置有第三外延层；

所述第三外延层包括薄膜导电层。

6.根据权利要求4所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述键合层和所述第二外延层之间叠加设置有金属反射层。

7.根据权利要求4所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述第一衬底、所述缓冲层和所述AlN/AlGaN超晶格设置有凹槽；

所述凹槽贯穿于所述第一衬底、所述缓冲层和所述AlN/AlGaN超晶格。

8.根据权利要求7所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述凹槽内设置有绝缘层和第一金属栓；

所述绝缘层环绕于所述第一金属栓。

9.根据权利要求4所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述第一衬底为蓝宝石衬底；

所述第二衬底为硅衬底。

10.根据权利要求1所述的紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，所述外延芯片本体的侧面设置有钝化层。