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专利号: 2018116295557
申请人: 安徽工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:该方法是将碲化铋基半导体废料溶解到含BiCl3的BiCl3-MCln混合熔盐中,然后进行电解即可在电解用阴极和阳极表面同步回收得到铋和碲两种金属。

2.根据权利要求1所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述的MCln为LiCl、NaCl、KCl、CaCl2与BaCl2中的任一种或一种以上的混合。

3.根据权利要求1所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述混合氯化物中BiCl3的质量百分比为20%-60%。

4.根据权利要求1所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述碲化铋基半导体废料的添加量为BiCl3质量的5%~20%。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述的废料包括碲化铋基热电材料生产、加工过程中产生的边角料以及从报废产品中分离出的废旧碲化铋基热电材料。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述电解时的阴极和阳极均采用石墨棒,所述的BiCl3为不带结晶水的无水BiCl3粉末。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于,其具体回收工艺为:(1)将碲化铋基半导体废料进行清洗以去除废料表面的油污和杂质,然后经干燥处理后进行破碎;

(2)将粉末状BiCl3与MCln按照质量要求进行混合得到混合氯化物,将混合氯化物加热至熔化,并向其中加入碲化铋基半导体废料,保持恒温使废料中的Bi2Te3溶解进入熔盐中,经解离得到Bi3+和Te2-离子;

(3)向所述混合熔盐中通入直流电进行电解,对阴极和阳极析出的碲、铋液态金属熔体进行收集,经冷却、凝固后即得金属铋和碲。

8.根据权利要求7所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述步骤一中依次采用无水乙醇和蒸馏水对碲化铋基半导体废料进行清洗,其清洗后进行真空干燥,并将其破碎成粒度为2mm以下的颗粒;所述Bi2Te3的溶解以及电解处理均在氩气保护下进行,电解时电压为0.75V~1.5V。

9.根据权利要求7所述的一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述氯化物粉末在使用前均于100-120℃下进行干燥处理;所述步骤(2)中加热熔化温度为500~800℃,熔盐中加入碲化铋基半导体废料后于500~800℃下恒温20~60分钟。

10.一种从碲化铋基半导体废料中同步回收铋和碲的方法,其特征在于:所述BiCl3与MCln分别采用无水BiF3、MFn进行代替。

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