1.一种超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述超窄多频带光学传感器由下至上依次为第一高介电材料层、金属层、第二高介电材料层以及光子晶体；所述第一高介电材料层、所述金属层以及所述第二高介电材料层构成膜堆积等离激元结构；所述光子晶体为多个条纹介质材料组成的一维周期结构。

2.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述第一高介电材料层以及所述第二高介电材料层的材料为高折射介电材料。

3.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述金属层的厚度为

20nm。

4.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述第一高介电材料层以及所述第二高介电材料层的厚度为10-40nm。

5.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述光子晶体的周期为

400-850nm。

6.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述光子晶体的厚度为

100-240nm。

7.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述条纹介质材料的宽度为100-500nm。

8.根据权利要求1所述的超窄多频带光学传感器，其特征在于，所述超窄多频带光学传感器的制备方法包括：在抛光的石英晶片上依次沉积第一高介电材料层、金属层以及第二高介电材料层；

在所述第二高介电材料层均匀的涂覆一层光刻胶；

采用电子束光刻的方法在所述第二高介电材料层上制备一维光刻胶条纹周期结构；

采用磁控溅射仪在所述一维光刻胶条纹周期结构上沉积介质材料；

采用Lift-off的方法去掉所述一维光刻胶条纹周期结构条纹上的介质材料；保留所述一维光刻胶条纹周期结构条纹间的条纹介质材料；

采用去胶液将所述第二高介电材料层上的所述一维光刻胶条纹周期结构除去，完成制作。