1.一种基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，超宽带近完美光吸收体由下至上依次为第一金属层、电介质层、第二金属层、第一电介质光栅层、金属光栅层以及第二电介质光栅层；所述第一金属层、所述电介质层以及所述第二金属层构成堆积结构；所述第一电介质光栅层、所述金属光栅层以及所述第二电介质光栅层构成光栅结构。

2.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述金属光栅层的材料为耐火材料。

3.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述第一金属层的厚度大于或等于150nm，所述第二金属层以及所述金属光栅层厚度为10-60nm。

4.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述电介质层、所述第一电介质光栅层以及所述第二电介质光栅层的材料为介电材料。

5.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述电介质层、所述第一电介质光栅层以及所述第二电介质光栅层的厚度为60-220nm。

6.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述光栅结构的光栅狭缝宽度为20-220nm。

7.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述光栅结构的光栅周期为200-410nm。

8.根据权利要求1所述的基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体，其特征在于，所述基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体的制作方法包括：采用磁控溅射仪在抛光的石英晶片上依次沉积第一金属层、电介质层以及第二金属层；

在所述第二金属层上均匀的涂覆一层光刻胶；

采用电子束光刻的方法在所述第二金属层上制备一维光刻胶条纹周期结构；

采用磁控溅射仪在所述一维光刻胶条纹周期结构上依次沉积第一电介质光栅层、金属光栅层以及第二电介质光栅层；

采用Lift-off的方法去掉所述一维光刻胶条纹周期结构条纹上的电介质层和金属层，保留所述一维光刻胶条纹周期结构条纹之间的电介质层和金属层；

采用去胶液将第二金属层上的所述一维光刻胶条纹周期结构除去，完成制作。