1.一种超高精度的带隙基准源电路，其特征在于，包括启动电路，主要电路，电阻电路以及分段补偿电路，主要电路具体包括第一差分运算放大器A1，第二差分运算放大器A2，第一双极型晶体管Q1，第二双极型晶体管Q2，第三双极型晶体管Q3，第一场效应晶体管P1，第二场效应晶体管P2，第三场效应晶体管P3，第四场效应晶体管P4，第五场效应晶体管P5，第六场效应晶体管P6，第七场效应晶体管P7，第八场效应晶体管P8，第九场效应晶体管P9，第十场效应晶体管P10，第十一场效应晶体管P11，第十二场效应晶体管P12，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第六电阻R6，第七电阻R7；

电阻电路具体包括第四电阻R4和第五电阻R5；

其中，A1的同相输入端接P2的漏极、通过R1连接Q的发射极、通过R5连接Q3的发射极、通过R5连接P3和P6的漏极，反相输入端接P1的漏极、Q1的发射极、通过R4连接Q3的发射极，输出端接P1、P2、P3和P4的栅极；A2的同相输入端接Q1的发射极、P1的漏极、通过R4连接Q3的发射极、通过R4连接P3和P6的漏极，反相输入端通过R2接地、通过R3连接P5的漏极、通过R3连接P6和P7的栅极，输出端接P12的栅极，Q1、Q2及Q3的基极和集电极接地。

2.如权利要求1所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述分段补偿电路为五段分段补偿电路，用于在5段连续温度区间内产生5段不同曲率的电压，分别在对应温度区间内补偿基准电压。

3.如权利要求1所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7均由多个具有相同电阻值的分立电阻串联构成。

4.如权利要求3所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述R1，R2，R3，R4，R5的分立电阻阻值相同。

5.如权利要求3所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述R6的分立电阻阻值小于所述R2的分立电阻阻值。

6.如权利要求4所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述R4和R5的电阻值相同。