1.一种石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。

2.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅的掺杂浓度为1×1010～1×1014cm-3，所述n+型多晶硅的掺杂浓度为1×1016～1×1019cm-3。

3.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅的厚度为5～50μm，n+型多晶硅的厚度为0.1～5μm。

4.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为100～2000nm。

5.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯薄膜层为若干层石墨烯薄膜叠置而成，石墨烯薄膜层厚度为10～100nm。

6.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述光学减反层为若干层氮化硅薄膜叠置而成，光学减反层厚度为0.5～5μm，折射率为1.9～2.8。