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专利号: 2018204893926
申请人: 常熟理工学院
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,包括n型单晶硅,所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置第一石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的区域的第一石墨烯薄膜层表面设置氮化硅薄膜,所述氮化硅薄膜表面设置第二石墨烯薄膜层,在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的第一石墨烯薄膜层表面设置前电极,所述n型单晶硅的另一面设置金属薄膜背电极。

2.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述n型单

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晶硅的掺杂浓度为1×10 ~1×10 cm 。

3.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述n型单晶硅的厚度为1~2000μm。

4.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述二氧化硅层的厚度为100~1000nm。

5.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述第一石墨烯薄膜层为若干层石墨烯薄膜叠置而成,第一石墨烯薄膜层厚度为0.5~10nm。

6.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述氮化硅薄膜为单层薄膜,氮化硅薄膜厚度为0.05~5μm,折射率为2.0~3.0。

7.根据权利要求1所述的具有微腔结构的石墨烯太阳能电池,其特征在于,所述第二石墨烯薄膜层为若干层石墨烯薄膜叠置而成,第二石墨烯薄膜层厚度为1~50nm。