1.一种硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，所述n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，所述n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，所述p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，所述透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。

2.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅衬底的厚度为20～5000微米。

3.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述n型纳米线周期阵列结构的纳米线直径为10～200纳米，高度为50～2000纳米。

4.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述硫化钼薄膜为单层或由多层薄膜叠加组合构成，厚度为1～100纳米。

5.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述p型非晶硅薄膜的厚度为0.01～1微米。

6.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜为氧化铟锡、掺铝氧化锌和掺氟氧化锡中的一种，厚度为20～500纳米。

7.根据权利要求1所述的硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜为Ag、Al和Gu中的一种，厚度为20～100纳米。