1.一种低压差线性稳压系统，其特征在于，包括：基准电压电路，接收电源提供的输入电压，并提供基准电流和基准电压；

一级控制电路，接收所述输入电压和所述基准电压电路提供的基准电流，输出第一控制信号，所述一级控制电路具有第一分段点，所述第一分段点大于所述基准电压电路完全建立所述基准电压所需的最小电压值；

二级控制电路，接收所述输入电压和所述基准电压电路提供的基准电压，并输出第二控制信号，所述二级控制电路具有第二分段点，所述第二分段点的变化范围小于第一分段点的变化范围；

逻辑电路，与所述一级控制电路的输出端和所述二级控制电路的输出端相连，以接收所述第一控制信号和所述第二控制信号，并对所述第一控制信号和所述第二控制信号进行“与”逻辑运算；和

低压差线性稳压电路，其接收所述输入电压并与所述逻辑电路的输出端连接，所述低压差线性稳压电路的输出端用于连接负载。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压系统，其中，所述一级控制电路包括：第一电流镜，接收所述输入电压和所述基准电流，并输出第一镜像电流，所述第一镜像电流的镜像比为1：1；

第二电流镜，接收所述第一镜像电流，并输出第二镜像电流，所述第二镜像电流的比为

1：x，其中x大于1；以及

反相器，连接于所述第一电流镜与所述第二电流镜，所述反相器的输出端作为所述一级控制电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第一电流镜包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管，其中：

所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极连接所述电源以接收所述输入电压；

所述第一场效应管的栅极和所述第二场效应管的栅极连接所述基准电压电路的第一输出端以接收所述基准电流；

所述第三场效应管的源极和所述第四场效应管的源极，分别与所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极一一连接；

所述第三场效应管的栅极和所述第四场效应管的栅极连接所述基准电压电路的第二输出端以接收所述基准电流；

所述第五场效应管的源极和所述第六场效应管的源极，分别与所述第三场效应管的漏极和所述第四场效应管的漏极一一连接；

所述第五场效应管的栅极和漏极连接，所述第六场效应管的栅极和漏极连接。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第二电流镜包括：第七场效应管和第八场效应管，其中：

所述第七场效应管的漏极以及所述第七场效应管的栅极与所述第五场效应管的漏极以及所述第五场效应管的栅极均连接；

所述第八场效应管的漏极与所述第六场效应管的漏极以及所述第六场效应管的栅极均连接；

所述第七场效应管的栅极连接所述第八场效应管的栅极；

所述第七场效应管的源极与所述第八场效应管的源极均接地。

5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压系统，其中，所述反相器包括：第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管和第十三场效应管，其中：所述第九场效应管的源极连接所述电源；

所述第九场效应管的漏极以及所述第九场效应管的栅极连接所述第十场效应管的源极；

所述第十场效应管的漏极以及所述第十场效应管的栅极连接所述第十一场效应管的源极；

所述第十一场效应管的漏极以及所述第十一场效应管的栅极连接所述第十二场效应管的源极；

所述第十二场效应管的漏极以及所述第十二场效应管的栅极分别与所述第十三场效应管的漏极以及所述第十三场效应管的栅极一一连接，所述第十二场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极的连接点作为一级控制电路的输出端；

所述第十三场效应管的源极接地。

6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压系统，其中，所述一级控制电路还包括第一电阻，所述第一电阻一端连接电源，另一端与所述第六场效应管的漏极、所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的源极、所述第十二场效应管的栅极和所述第十三场效应管的栅极均连接。

7.根据权利要求5所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第九场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管、所述第十二场效应管均为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；以及所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第十三场效应管均为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压系统，其中，所述二级控制电路包括：电阻部件，所述电阻部件包括第二电阻和第三电阻，所述第二电阻一端和所述第三电阻一端串联，所述第二电阻另一端连接电源，所述第三电阻另一端接地；

第一比较器，所述第二电阻和所述第三电阻的连接点连接第一比较器的正向输入端，第一比较器的反向输入端连接所述基准电压电路的第三输出端以接收所述基准电压，第一比较器的输出端作为二级控制电路的输出端。

9.根据权利要求8所述的低压差线性稳压系统，其中，所述基准电压电路的第三输出端输出基准电压为1.2V。

10.根据权利要求8所述的低压差线性稳压系统，其中，当所述第一比较器的正向输入端的电压大于基准电压电路完全建立所述基准电压所需的最小电压值且小于第二分段点时，所述第二控制信号为低电平，当所述第一比较器的正向输入端的电压大于第二分段点时，所述第二控制信号为高电平。

11.根据权利要求1所述的低压差线性稳压系统，其中，所述逻辑电路包括：第十四场效应管、第十五场效应管、第十六场效应管、第十七场效应管、第十八场效应管、第十九场效应管、第二十场效应管、第二十一场效应管、第二十二场效应管和电容，其中：

所述第十四场效应管的源极连接电源；

所述第十四场效应管的栅极以及所述第十四场效应管的漏极与所述第十五场效应管的源极均连接；

所述第十五场效应管的栅极、所述第十五场效应管的漏极以及所述第十六场效应管的源极与所述第二十一场效应管的栅极均连接；

所述第十六场效应管的栅极、所述第十六场效应管的漏极以及所述第十七场效应管的源极与所述第二十场效应管的源极均连接；

所述第十七场效应管的漏极、所述第十八场效应管的漏极、所述第二十场效应管的漏极以及所述第二十二场效应管的栅极与所述电容一端均连接，所述电容另一端连接所述电源；

所述第十七场效应管的栅极以及所述第十八场效应管的栅极连接一级控制电路的输出端；

所述第十八场效应管的源极连接所述第十九场效应管的漏极；

所述第十九场效应管的源极以及所述第二十二场效应管的源极接地；

所述第十九场效应管的栅极、所述第二十场效应管的栅极与所述二级控制电路的输出端连接；

所述第二十一场效应管的源极连接所述第二十二场效应管的漏极；

所述第二十一场效应管的漏极作为所述逻辑电路的输出端。

12.根据权利要求11所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第十四场效应管、所述第十五场效应管、所述第十六场效应管、所述第十七场效应管、所述第二十场效应管均为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；以及所述第十八场效应管、所述第十九场效应管、所述第二十一场效应管、所述第二十二场效应管均为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

13.根据权利要求11所述的低压差线性稳压系统，其中，所述低压差线性稳压电路包括：

第二十三场效应管，与所述逻辑电路的输出端连接，用来接收逻辑电路输出的信号；

第二十四场效应管，与所述第二十二场效应管连接；

电阻部件，包括串联的第四电阻和第五电阻，其中所述第四电阻连接所述第二十四场效应管的漏极，所述第五电阻接地；

第二比较器，所述第四电阻和所述第五电阻的连接点的电压作为所述第二比较器的正向输入端，第二比较器的反向输入端连接所述基准电压电路的第三输出端，第二比较器的输出端与所述第二十三场效应管的栅极连接。

14.根据权利要求13所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第二十三场效应管的源极连接电源，所述第二十三场效应管的栅极连接所述逻辑电路的输出端，所述第二十三场效应管的漏极与所述第二十四场效应管的源极连接，其连接点作为所述低压差线性稳压电路的输出端，所述第二十四场效应管的栅极连接所述第二十二场效应管的栅极。

15.根据权利要求13所述的低压差线性稳压系统，其中，所述第二十三场效应管、所述第二十四场效应管为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

16.根据权利要求1所述的低压差线性稳压系统，其中，所述负载包括储能元件。

17.根据权利要求1‑16任意一项所述的低压差线性稳压系统，其中，当所述输入电压小于第一分段点时，所述第一控制信号为低电平，当所述输入电压大于第一分段点时，所述第一控制信号为高电平。