1.一种基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括若干个串联连接的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥（9）连接，其特征在于：所述空气桥（9）下侧的阳极主体为圆形或矩形，且圆形或矩形阳极主体上设置有若干条向外延伸的阳极分体（10），所述阳极分体（10）形成阳极向阴极传输电流的扩散通道；每个肖特基二极管结包括半绝缘GaAs衬底（5），所述半绝缘GaAs衬底（5）的上表面设有重掺杂GaAs层（6），所述半绝缘GaAs衬底（5）的上表面还设有钝化层（1），所述钝化层（1）将所述重掺杂GaAs层（6）分成左右两部分，每个所述重掺杂GaAs层（6）的上表面为阶梯状，其中靠近所述肖特基二极管结内部的台阶面相对于外侧的台阶面较高，较高的台阶面上设有低掺杂GaAs层（7），较低的台阶面上设有欧姆接触金属层（3），所述欧姆接触金属层（3）为所述肖特基二极管结的阴极，所述欧姆接触金属层（3）的上表面设有金属加厚层（4），其中的一个所述低掺杂GaAs层（7）的上表面设有肖特基接触金属层（8），所述肖特基接触金属层（8）为所述肖特基二极管结的阳极，所述肖特基接触金属层（8）以外的低掺杂GaAs层（7）上设有二氧化硅层（2），所述肖特基接触金属层（8）与位于另一侧的金属加厚层（4）之间通过空气桥（9）连接。

2.如权利要求1所述的基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述阳极分体（10）朝向与该所述阳极相近的阴极延伸。

3.如权利要求1所述的基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述钝化层（1）的制作材料为氮化硅。

4.如权利要求1所述的基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触金属层（3）的制作金属自下而上为Ni/Au/ Ge/Ni/Au。

5.如权利要求1所述的基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触金属层（8）的制作金属自下而上为Ti/Pt/Au。

6.如权利要求1所述的基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述太赫兹肖特基二极管包括6个肖特基二极管结。