1.一种高通量、超灵敏、多靶向检测的区域等离子体信号增强点阵阵列芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将微球溶液分散在芯片基底上，形成单层微球点阵，自然风干；

(2)将固定有微球点阵的亲水基底蒸镀铝膜；

(3)超声清洗，除去微球颗粒，制得表面具有微纳孔洞铝膜的芯片基底；

(4)对步骤(3)处理后的芯片基底表面硅烷化处理，使处理后的界面带正电荷或负电荷；

(5)将纳米金材料滴在步骤(4)处理后的基底表面，获得点阵阵列芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)是将微球溶液平铺在玻璃片上，自然干燥，形成单层微球点阵。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)在磁控溅射仪中蒸镀铝膜，铝膜的厚度为50nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片基底为亲水基底。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述芯片基底的材料包括但不限于玻璃片、硅片、半导体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米金材料的形态包括：金球、金棒或金十字。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述纳米金材料表面具有颗粒表面活性剂。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述微球的浓度为0.5～1.0mol/L。

9.应用权利要求1～8任一所述方法制备获得的高通量、超灵敏、多靶向检测的区域等离子体信号增强点阵阵列芯片。

10.权利要求9所述的高通量、超灵敏、多靶向检测的区域等离子体信号增强点阵阵列芯片在化学、分析、生物领域检测方面的应用。