1.一种全晶体波导耦合器的制备方法，其特征在于，当波导A距离晶片某侧边缘小于100微米时，步骤为：使用精密金刚石垂直于晶片侧边缘切割一凹槽，所述凹槽贯通波导A且与晶片上表面呈一定角度的夹角。2.一种全晶体波导耦合器的制备方法，其特征在于，当波导A距离晶片两侧边缘均大于100微米时，步骤为：（1）按照与波导A相同的工艺尺寸，制作与波导A端部交叉的波导B，所述波导B延伸至晶片的侧边缘，在距离该侧边缘小于100微米处的位置，制作另一波导C与侧边缘平行，所述A、B、C波导形成“之”字型结构；（2）在波导A、B及波导B、C的连接处，分别切割一凹槽，所述凹槽与各波导呈一定夹角，以实现波导模式信号的偏折；（3）在波导C侧的晶片侧面，切割一凹槽，所述凹槽贯通波导C且与晶片上表面呈一定角度的夹角。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述晶片的材质为铌酸锂（LiNbO3）晶体、钇铝石榴石（YAG）晶体、磷酸钛氧钾（KTP）晶体、光学陶瓷或玻璃材料。4.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述晶片的尺寸根据需求而定，并对各面进行光学抛光和清洁。5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，各凹槽的深度完全覆盖波导模式。