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专利号: 2019101185648
申请人: 长沙理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-11-18
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于改进共源共栅电流镜的低延迟低电压电流比较器,其特征在于包括:共源共栅电流镜级电路和放大级电路,其中共源共栅电流镜级电路的输出端连接至放大级电路的输入端;

其中,共源共栅电流镜级电路包括:基准电流源、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管;其中,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极接地;第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极互连并连接至第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极,作为输入端;第一NMOS晶体管的漏极连接至第四NMOS晶体管的源极,第二NMOS晶体管的漏极连接至第三NMOS晶体管的源极;第三NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的漏极均连接至基准电流源;第三NMOS晶体管的漏极作为输出端;其中,共源共栅电流镜级电路中与输入端连接的MOS晶体管的沟道长宽比比例是1:

1;

而且其中,放大级电路包括:依次连接的电平移位级、放大级和反相器;其中,电平移位级包括:第一放大级电路NMOS晶体管、第二放大级电路NMOS晶体管和第三放大级电路PMOS晶体管;其中第一放大级电路NMOS晶体管的栅极和第二放大级电路NMOS晶体管的栅极相连作为输入端以接收输入信号;第三放大级电路PMOS晶体管的栅极接收基准输入信号,第一放大级电路NMOS晶体管的漏极和第二放大级电路NMOS晶体管的源极相连,第二放大级电路NMOS晶体管的漏极连接至第三放大级电路PMOS晶体管的漏极,第一放大级电路NMOS晶体管的源极接地,第三放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压;

放大级包括:第四放大级电路NMOS晶体管、第五放大级电路PMOS晶体管、第六放大级电路PMOS晶体管、以及第七放大级电路NMOS晶体管;其中,第四放大级电路NMOS晶体管的栅极连接至电平移位级的输出端,第五放大级电路PMOS晶体管的栅极接收基准输入信号,第四放大级电路NMOS晶体管的漏极和第五放大级电路PMOS晶体管的漏极相连并连接至第七放大级电路NMOS晶体管的栅极,第四放大级电路NMOS晶体管的源极和第七放大级电路NMOS晶体管的源极接地,第五放大级电路PMOS晶体管的源极和第六放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压,第六放大级电路PMOS晶体管的栅极接另一基准输入信号,第六放大级电路PMOS晶体管的漏极以及第七放大级电路NMOS晶体管的漏极相连作为放大级的输出端;

反相器包括:第八放大级电路PMOS晶体管以及第九放大级电路NMOS晶体管;其中第八放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压,第九放大级电路NMOS晶体管的源极接地,第八放大级电路PMOS晶体管的栅极和第九放大级电路NMOS晶体管的栅极相连并连接至放大级的输出端,第八放大级电路PMOS晶体管的漏极和第九放大级电路NMOS晶体管的漏极相连并作为反相器的输出端。

2.一种电路模块,其特征在于包括根据权利要求1所述的基于改进共源共栅电流镜的低延迟低电压电流比较器。