1.一种Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将氯化钴与尿素溶于去离子水中，利用化学浴沉积方法在导电基底上生长针状碱式钴盐阵列；

（2）将多巴胺在弱碱性缓冲液中聚合到上述生长有碱式钴盐阵列的基底上后于保护气氛下加入硫脲，用CVD方法进行硫化反应，得到Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极。

2.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的氯化钴浓度为50 200 mM，尿素质量分数为3 10 %。

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3.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，化学浴沉积时间为1   6 h，水浴温度为70  100℃。

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4.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳纸、碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的多巴胺聚合时间为10 30 h，聚合条件为室温下搅拌进行。

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6.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的弱碱性缓冲液为Tris缓冲液，浓度为0.005-0.02 M，多巴胺浓度为0.1 10 mg/mL。

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7.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的保护气体为Ar气或N2气，硫气氛为硫脲，其中退火反应温度500~900℃，退火反应时间为

0.5 4 h。

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8.根据权利要求1所述的Co9S8与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，在退火过程所用的硫脲质量为多巴胺质量的3 50倍。

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