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专利号: 2019101333368
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:包括若干在x和/或y方向阵列排列的超材料结构单元,所述超材料结构单元由上下两层金属贴片和中间的介质层组成,所述上层金属贴片为轴对称的双L形金属贴片,所述下层金属贴片为中心对称的双L形金属贴片。

2.根据权利要求1所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述轴对称的双L形金属贴片和中心对称的双L形金属贴片中的两个L形贴片的间距均为16μm。

3.根据权利要求2所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述L形贴片的高为55μm,臂长为24μm,贴片宽为8μm。

4.根据权利要求1或2或3所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述超材料结构单元的介质层为正方形。

5.根据权利要求4所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述超材料结构单元在x和/或y方向阵列排列的排列周期为70μm。

6.根据权利要求1或2或3或5所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述介质层材料为硅,所述金属贴片材料为金、铜或铝。

7.根据权利要求6所述一种基于超材料的宽带太赫兹非对称传输器件,其特征在于:所述介质层的厚度为11μm,金属金属贴片的厚度为5μm。