1.一种基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，包括：

从上到下依次设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和第四介质层；第一金属化通孔阵列贯穿第一介质层并且和第一金属层以及第二金属层共同构成第一谐振腔；第二金属化通孔阵列贯穿第二介质层，并且与第二金属层、第三金属层共同构成第二谐振腔；第三金属化通孔阵列贯穿第三介质层，并且与第三金属层、第四金属层共同构成第三谐振腔。

2.如权利要求1所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述第一金属层上设置有输入端口，所述第四金属层上设置有输出端口，输入端口和输出端口都采用微带线到共面波导的过渡结构。

3.如权利要求2所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述的输出端口通过贯穿三层介质层的第四金属化通孔将能量耦合到所述第一金属层上的50欧姆的微带传输线上。

4.如权利要求3所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述的第二金属层和第三金属层上分别刻蚀第一圆形耦合孔和第二圆形耦合孔，第一圆形耦合孔和第二圆形耦合孔的中心与所述第四金属化通孔的中心相重合。

5.如权利要求1所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述第二金属层上刻蚀第一磁耦合矩形槽和第一电耦合圆孔，所述第三金属层上刻蚀第二磁耦合矩形槽和第二电耦合圆孔，其中，第一磁耦合矩形槽和第二磁耦合矩形槽位于谐振腔的边缘位置且关于谐振腔中心对称，实现相邻谐振腔的磁耦合，第一电耦合圆孔和第二电耦合圆孔位于谐振腔的中心位置，实现相邻谐振腔的电耦合。

6.如权利要求5所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，通过调节第二金属层上刻蚀的第一磁耦合矩形槽长度和第一电耦合圆孔的半径，可以调节下阻带传输零点的位置。

7.如权利要求5所述的基于电磁混合耦合的基片集成波导滤波器，其特征在于，通过调节第三金属层上刻蚀的第二磁耦合矩形槽长度和第二电耦合圆孔的半径，调节上阻带传输零点的位置。