1.一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，包括基板(1)、馈线(5)、变换器(4)、阻抗匹配电路(3)、辐射器(2)和底部地板，其特征在于，所述基板(1)从上往下依次包括上层金属表面(11)、中间介质层(12)和下层金属底面(13)，在基板(1)顶面按照从上至下的顺序分别设置有辐射器(2)、阻抗匹配电路(3)、变换器(4)和馈线(5)，其中辐射器(2)与阻抗匹配电路(3)连接，阻抗匹配电路(3)与变换器(4)连接，变换器(4)与馈线(5)连接，且辐射器(2)、阻抗匹配电路(3)、变换器(4)和馈线(5)周围均设置有过孔。

2.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导天线，其特征在于，中间介质层(12)的厚度为：0.254mm或0.508mm，上层金属表面(11)和下层金属底面(13)淀积的铜厚为0.018mm或0.035mm。

3.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，过孔的直径为：0.3mm～0.8mm，过孔之间的距离为：0.6～1.6mm。

4.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导天线，其特征在于，所述馈线(5)为接地共面波导馈线，其特性阻抗为50欧姆。

5.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，所述变换器(4)为共面波导与介质集成的波导变换器，且变换器(4)长度为1.7mm～2.0mm。

6.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，所述阻抗匹配电路(3)包括三对阻抗调节过孔，三对过孔宽度为2.4mm～3.5mm，且阻抗匹配电路(3)长度为10mm～13mm。

7.根据权利要求6所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导SIW天线，其特征在于，阻抗匹配电路(3)中的三对调节过孔相对于匹配电路起始点的距离分别为：3.3mm～4.5mm、

7.3mm～8.3mm和10mm～11mm，其中阻抗匹配电路(3)的起始点为阻抗匹配电路(3)与变换器(4)的连接处。

8.根据权利要求1所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导天线，其特征在于，所述辐射器(2)包括高频辐射器和中低频辐射器，基板(1)的上层金属表面(11)上设置有圆环缺口，高频辐射器为设置在圆环缺口外的波导辐射器，中低频辐射器为设置在圆环缺口中心的贴片辐射器，高频辐射器和低频辐射器通过设置在圆环缺口上的金属铜连接。

9.根据权利要求8所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导天线，其特征在于，所述高频辐射器包括一对矩形缺口，该对矩形缺口以圆环缺口的圆心呈中心对称，高频辐射器的外圈半径为3.8mm～4.5mm、内圈半径为2.6mm～3.3mm；所述矩形缺口的宽度为0.4mm～

0.9mm、深度为0.2mm～0.4mm，且矩形缺口与水平方向的夹角为-45度或+45度。

10.根据权利要求8所述的一种毫米波三频三极化基片集成波导天线，其特征在于，所述中低频辐射器包括一对矩形缺口，该对矩形缺口根据圆环缺口的圆心呈中心对称，中低频辐射器的形状为圆形，圆形半径为1.7mm～2.5mm；所述矩形缺口的宽度为0.4mm～0.8mm、深度为0.1mm～0.3mm；且矩形缺口与水平方向的夹角为：-45度或+45度。