1.一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料，其特征在于，所述柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层在柔性基层材料上交替沉积复合而成，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方；

所述柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的膜结构的表达通式为：[V2O5(x)/Ge2Sb2Te5(y)]n，其中x为单层V2O5层的厚度，1nm≤x≤10nm；y为单层Ge2Sb2Te5层的厚度，1nm≤y≤10nm；n为V2O5层和Ge2Sb2Te5层的交替周期数，1≤n≤20；所述x、y、n满足30nm≤(x+y)×n≤70nm，代表所述纳米多层相变薄膜材料总膜厚。

2.根据权利要求1所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料，其特征在于，

45nm≤(x+y)×n≤55nm。

3.根据权利要求1所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料，其特征在于，所述柔性基层材料为云母片或PET。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗柔性基层材料并烘干待用；

(2)磁控溅射前的准备：将步骤(1)中柔性基层材料放置在基托上，安装待溅射的V2O5靶材与Ge2Sb2Te5靶材，将磁控溅射腔室抽真空，使用高纯Ar气体作为溅射气体；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

(3)室温磁控溅射制备[V2O5(x)/Ge2Sb2Te5(y)]n纳米多层薄膜：a)将空基托分别旋转到V2O5靶与Ge2Sb2Te5靶的靶位上，分别打开靶上的交流电源，设定V2O5靶与Ge2Sb2Te5靶的溅射时间和溅射速率以清洁靶位表面；

b)V2O5靶与Ge2Sb2Te5靶表面清洁完成后，关闭V2O5靶和Ge2Sb2Te5靶靶位上所施加的交流电源；将待溅射的柔性基层材料基片旋转到Ge2Sb2Te5靶位，打开Ge2Sb2Te5靶靶位上的交流电源，设定Ge2Sb2Te5靶溅射时间和溅射速率，开始溅射Ge2Sb2Te5薄膜；

c)待Ge2Sb2Te5靶溅射结束后，将待溅射基片旋转到V2O5靶靶位，打开V2O5靶靶位交流电源，设定V2O5靶溅射时间和溅射速率，开始溅射V2O5薄膜；

d)重复上述步骤b)和c)，重复次数为n‑1次，溅射结束得到柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料。

5.根据权利要求4所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，‑4

其特征在于，所述步骤(2)中抽真空应小于1×10 Pa，溅射功率为20～40W。

6.根据权利要求5所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述溅射功率为30W。

7.根据权利要求4所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中高纯Ar气为体积百分比≥99.999％，Ar气流量为20～40sccm，溅射气压0.20～0.60Pa。

8.根据权利要求7所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述Ar气的气体流量为30sccm，溅射气压为0.40Pa。

9.根据权利要求4所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)a)中V2O5靶的溅射时间200s、Ge2Sb2Te5靶的溅射时间100s；所述步骤(3)b)、c)中Ge2Sb2Te5靶的溅射时间1～15s、V2O5靶的溅射时间50～450s。

10.根据权利要求4所述的一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述V2O5靶溅射速率50s/nm；所述Ge2Sb2Te5靶溅射速率1.7s/nm。