1.一种晶锭生长炉，其特征在于，包括低温管式加热装置、端面加热装置以及高温管式加热装置，所述端面加热装置具有相对的加热侧和冷却侧，所述加热侧设置有用于提供热量的加热件，所述高温管式加热装置设置在所述加热侧，所述低温管式加热装置设置在所述冷却侧，所述低温管式加热装置、所述端面加热装置以及所述高温管式加热装置沿同一直线设置。

2.根据权利要求1所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述晶锭生长炉还包括炉体支撑装置，所述低温管式加热装置、所述端面加热装置以及所述高温管式加热装置均容置在所述炉体支撑装置内。

3.根据权利要求2所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述低温管式加热装置与所述端面加热装置固定连接，所述高温管式加热装置与所述端面加热装置间隔设置并形成散热空腔。

4.根据权利要求3所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述高温管式加热装置的端面与所述端面加热装置之间的距离为100mm-300mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述低温管式加热装置具有低温加热炉膛，所述高温管式加热装置具有高温加热炉膛，所述低温加热炉膛和所述高温加热炉膛的直径相同，且所述低温加热炉膛的中心线和所述高温加热炉膛的中心线重合。

6.根据权利要求5所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述端面加热装置的中心开设有过孔，所述过孔的直径与所述低温加热炉膛的直径相同，且所述过孔的中心线与所述低温加热炉膛的中心线重合。

7.根据权利要求1-4任一项所述的晶锭生长炉，其特征在于，所述低温管式加热装置和所述高温管式加热装置均呈圆柱状，且所述低温管式加热装置的外径与所述高温管式加热装置的外径相同，所述端面加热装置呈圆盘状，且所述端面加热装置的外径与所述低温管式加热装置的外径相同。

8.一种利用如权利要求1-7任一项所述的晶锭生长炉生长碲化铋晶锭的方法，其特征在于，所述生长碲化铋晶锭的方法包括：将所述低温管式加热装置的温度设置在540-570℃；

将所述端面加热装置的温度设置在595-630℃；

将所述高温管式加热装置的温度设置在595-630℃；

将盛有碲化铋原料的坩埚依次通过所述高温管式加热装置和所述端面加热装置后进入所述低温管式加热装置。

9.一种利用如权利要求1-7任一项所述的晶锭生长炉生长碲化铋晶锭的方法，其特征在于，所述生长碲化铋晶锭的方法包括：将所述低温管式加热装置的温度设置在540-570℃；

将所述端面加热装置的温度设置在595-630℃；

将所述高温管式加热装置的温度设置在540-570℃；

将盛有碲化铋原料的坩埚依次通过所述高温管式加热装置和所述端面加热装置后进入所述低温管式加热装置。

10.根据权利要求9所述的生长碲化铋晶锭的方法，其特征在于，在所述将所述高温管式加热装置的温度设置在540-570℃的步骤之前，还包括以下步骤：将所述高温管式加热装置和所述低温管式加热装置均水平放置。