1.一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料，其特征在于，所述Mg-Sn-Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1

2.根据权利要求1所述的Mg-Sn-Sb薄膜材料，其特征在于，20≤x≤36，13≤y≤17。

3.根据权利要求1所述的Mg-Sn-Sb薄膜材料，其特征在于，所述MgxSnySbz为Mg20Sn17Sb63、Mg24Sn16Sb60、Mg28Sn15Sb57、Mg32Sn14Sb54或Mg36Sn13Sb51。

4.根据权利要求1所述的Mg-Sn-Sb薄膜材料，其特征在于，所述Mg-Sn-Sb薄膜材料的厚度为50nm。

5.一种如权利要求1～4任一项所述的Mg-Sn-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)磁控溅射的准备：

将洗净的待溅射的氧化硅衬底放置在中间样品盘上，将Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

(2)磁控溅射制备MgxSnySbz薄膜材料：

分别清洁Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材表面，然后改变射频电源功率，进行共溅射，获得MgxSnySbz薄膜材料。

6.根据权利要求5所述的一种Mg-Sn-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体为：a、调整Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材的角度，使其溅射点位于中间样品盘，打开Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材上的射频电源，依照设定的溅射时间和功率，开始溅射样品，进行清洁Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材表面；

b、改变Mg80Sn20靶材和Sn20Sb80靶材上的射频电源功率，重新对待溅射的样品盘进行溅射，获得MgxSnySbz薄膜材料。

7.根据权利要求5所述的一种Mg-Sn-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中高纯氩气中Ar的体积百分比≥99.999％，高纯氩气流量为20SCCM～40SCCM，溅射气压为

0.15Pa～0.35Pa。

8.根据权利要求5所述的一种Mg-Sn-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述射频电源功率为30W～100W。