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专利号: 2019101960805
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 发电、变电或配电
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种集中‑分散并联型开关电容均衡电路,其特征在于,包括依次串联的电池B1,B2,…,Bn,n≥3,其中有且仅有一个电池为集中并联电池Bj;

当j=n,还包括:

电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i

当1

电池Bi的正极连接到MOS管Si1的源极,Si1的漏极连接到MOS管Sij1的源极,Sij1的漏极连接到Bj的正极;电池Bi的负极连接到MOS管Si2的源极,Si2的漏极连接到MOS管Sij2的源极,Sij2的漏极连接到Bj的负极;均衡电容Ci的一端连接到Si1的漏极,另一端连接到Si2的漏极;其中,i

电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j;

当j=1,还包括:

电池Bk的正极连接到MOS管Sk1的漏极,Sk1的源极连接到MOS管Skj1的漏极,Skj1的源极连接到Bj的正极;电池Bk的负极连接到MOS管Sk2的漏极,Sk2的源极连接到MOS管Skj2的漏极,Skj2的源极连接到Bj的负极;均衡电容Ck的一端连接到Sk1的源极,另一端连接到Sk2的源极;其中,k>j。

2.如权利要求1所述的一种集中‑分散并联型开关电容均衡电路的控制方法,其特征在于,用一对频率固定、占空比互补且带有死区时间的PWM信号VGS1和VGS2分别控制所述MOS管,其中:VGS1控制Si1、Si2和Sk1、Sk2,VGS2控制Sij1、Sij2和Skj1、Skj2。