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专利号: 2019102132224
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:步骤(1)、荧光染料分子层的制备

将SiO2/Si浸入浓度为10mM的3-氨丙基三乙氧基硅烷甲苯溶液中,经过20min后取出在甲苯中超声震荡15min清洗干净;然后,浸入浓度为0.2mM的荧光染料异硫氰酸荧光素,吡咯亚甲基,香豆素,荧光黄,荧光素钠乙醇溶液,经过浸泡4小时后,取出,然后在乙醇中清洗

15min;荧光染料分子吸附在SiO2表面,形成荧光染料分子层;

步骤(2)、二硫化钨单分子层的制备

通过溶液旋涂法,将0.5mg/ml的WS2单分子层有溶液或有机溶液N-甲基吡咯烷酮旋涂至步骤(1)的产物表面;旋涂速度2500-3500转/分钟,旋涂时间50-70s;

步骤(3)、有机半导体层的制备

在上述步骤(2)的表面,通过溶液旋涂法旋涂PCBM形成载流子传输层;PCBM为溶于氯苯的溶液,浓度为4mg/ml;

步骤(4)、在步骤(3)的产物表面,通过热蒸镀法先后蒸镀金属钯和金,钯厚度为10纳米,金厚度为50nm;完成器件制备。