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专利号: 2019102149691
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 计算;推算;计数
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种计算磁性颗粒间静磁相互作用场强度的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)选定磁性材料参数,通过仿真软件对单个磁性颗粒单元建模;

(2)在无外加磁场环境下进行仿真计算,并获得稳态的矢量磁矩分布文件;

(3)在仿真模型中加载步骤(2)中获得的矢量磁矩分布文件,在外加弱脉冲场H(t)=9

100exp(‑10t)mT的磁场环境下进行仿真,仿真数据保存的时间间隔尽可能的小,以提高计算精度,在仿真结束后获取非矢量数据表;

(4)将步骤(3)获得的非矢量数据表取出,其至少包括:外磁场H(t)数据和某一与H(t)相垂直方向的平均磁化强度M(t)数据;

(5)利用快速傅立叶变换方法,将H(t)、H(t)在频域中分别变换为H(ω)和M(ω);

(6)通过复数磁导率公式:χ(ω)=M(ω)/H(ω)=χ′(ω)‑iχ″(ω)获得磁谱χ”(ω);

(7)提取磁谱χ”(ω)中所反应出的共振频率fsingle,其中,fsingle谱线中峰值所对应的频率;

(8)再次通过仿真软件对多磁性颗粒单元阵列进行建模,并使用二维边界条件(2DPBC)进行扩展;

(9)采用(2‑5)步骤中的数据处理方法获取阵列结构中的磁谱,并提取共振频率farray;

(10)然后通过公式 计算得到沿磁矩方向上的相互作用场强度Hu,其中,Hu以mT为单位。

2.权利要求1中所述的方法,其特征在于:步骤(1)中,使用OOMMF仿真软件建模仿真计算颗粒间相互作用强度。

3.权利要求1中所述的方法,其特征在于:步骤(3)中,使用快速衰减的微弱脉冲场H(t)9

=100exp(‑10t)mT作为激发外磁场。

4.权利要求1中所述的方法,其特征在于:步骤(10)中,通过对比两种结构的共振频率变化去计算颗粒间相互作用强度。