1.一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：包括BUCK变换器电路(1)，电流偏置电路(2)，电流采样电路(3)，直流误差消除电路(4)，所述BUCK变换器电路(1)与外接直流电源Vin相连，并同时与所述电流采样电路(3)相连；所述电流偏置电路(2)与所述电流采样电路(3)相连；所述电流采样电路(3)与所述直流误差消除电路(4)相连；所述直流误差消除电路(4)与所述电流偏置电路(2)相连。

2.根据权利要求要求1所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述BUCK变换器电路(1)包括电感L1，电阻R1，电解电容C1，型号为FSJ260D的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q1、Q2；所述电阻R1的一端与地GND相连，另一端与所述电解电容C1的正极端相连；所述电解电容C1的负极端与地GND相连；所述电感L1的一端与所述电解电容C1的正极端相连，另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，并与SW接口相连；所述场效应晶体管Q2的源极与地GND相连，栅极与所述场效应晶体管Q1的栅极相连，并与MS接口相连；所述场效应晶体管Q1的源极与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，漏极与外部直流电源相连。

3.根据权利要求要求2所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述电流偏置电路(2)包括型号为74LS04的四输入与非门芯片U1A，型号为

2SK2097的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3，型号为FQP9N50的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6、Q8，型号为TN0635的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q7、Q9，型号为IRFF9210的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4、Q5，型号为2SK2870的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q10，型号为M33417的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q11、Q12，型号为104的瓷片电容C2、C3；所述与非门芯片U1A的1端口与EN接口相连，2端口与所述场效应晶体管Q3的栅极相连，并与接口相连；所述场效应晶体管Q3的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连；所述场效应晶体管Q6的源极与外部直流电源VCC相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q8的栅极相连；所述场效应晶体管Q8的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q9的源极相连；所述场效应晶体管Q7的源极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q9的栅极相连，与所述场效应晶体管Q4的漏极相连；所述场效应晶体管Q9的漏极与所述场效应晶体管Q10的漏极相连，并与Port3接口相连；所述场效应晶体管Q4的栅极与Port1接口相连，源极与所述场效应晶体管Q5的漏极相连；所述场效应晶体管Q10的栅极与Port3接口相连，源极与Port4接口相连；所述场效应晶体管Q5的栅极与Port2接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q11的栅极与EN接口，漏极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q12的漏极、栅极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述瓷片电容C2的一端与Port4相连，另一端与地GND相连；所述瓷片电容C3的一端与Port3相连，另一端与地GND相连。

4.根据权利要求要求3所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述电流采样电路(3)包括型号为2SK3873的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q19，型号为S9018的NPN型三极管Q17、Q18、Q26，型号为STC6332的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q15、Q20，型号为MCH6421的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q16、Q21，型号为20k的可调电阻VR1，型号为AP9915H的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q24，型号为AOD4142的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q13、Q22，型号为MCH3359的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q14、Q23，定值为2k的电阻R2，型号为104的瓷片电容C4，型号为AM2308的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q25，型号为GSC9563的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q27；所述场效应晶体管Q19的栅极与MS接口相连，漏极与外部直流电源Vin相连，源极与所述场效应晶体管Q20的源极相连；所述NPN型三极管Q18的集电极与SW接口相连，基极与所述场效应晶体Q25的漏极相连，并与所述NPN型三极管Q17的发射极相连，发射极与所述NPN型三极管Q17的基极相连；所述NPN型三极管Q17的基极、集电极与SW接口相连；所述场效应晶体管Q15的源极与SW接口相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q20的栅极相连；

所述场效应晶体管Q16的的源极与所述场效应晶体管Q15的漏极相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q21的栅极相连；所述场效应晶体管Q21的源极与所述场效应晶体管Q20的漏极相连，漏极与所述场效应晶体管Q24的漏极相连；所述可调电阻VR1左端与中间端相连，并与所述场效应晶体管Q16的漏极相连，右端与所述场效应晶体管Q13的漏极相连；所述场效应晶体管Q13的栅极与Port3接口相连，源极与所述场效应晶体管Q14的漏极相连；所述场效应晶体管Q22的栅极与Port3接口相连，源极与所述场效应晶体管Q23的漏极相连；所述场效应晶体管Q14的栅极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q23的栅极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q24的栅极与 接口相连，源极与所述电阻R2的一端相连，并与所述NPN型三极管Q26的基极相连；所述电阻R2的另一端与所述瓷片电容C4的一端相连，并与Port6接口相连；所述瓷片电容C4的另一端与地GND相连；所述场效应晶体管Q25的栅极与Port3接口相连，源极与所述NPN型三极管Q26的发射极相连；所述NPN型三极管Q26的集电极与Port3接口、Port5接口相连；所述场效应晶体管Q27的漏极与所述场效应晶体管Q25的源极相连，源极与地GND相连，栅极与所述NPN型三极管Q26的基极相连。

5.根据权利要求要求4所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述直流误差消除电路(4)包括型号为2SK740的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q28，型号为SID3310的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q29，型号为GJ9563的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q30，型号为2SJ248的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q31，型号为SGM2501的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q32；所述场效应晶体管Q28的漏极与外接直流电源VCC相连，栅极与Port5接口相连，源极与所述场效应晶体管Q29的漏极相连；所述场效应晶体管Q29的栅极与Port6接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q30的漏极与外接直流电源VCC相连，栅极与Port1接口相连，源极与所述场效应晶体管Q31的漏极相连；所述场效应晶体管Q31的栅极与Port2接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q32的栅极与Port6接口相连，漏极与所述场效应晶体管Q28的源极相连，源极与地GND相连。

6.根据权利要求要求5所述的一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：所述BUCK变换器电路(1)的MS接口与所述电流采样电路(3)的MS接口相连，SW接口与所述电流采样电路(3)的SW接口相连；所述电流偏置电路(2)的 接口与所述电流采样电路(3)的 接口相连，Port1接口与所述直流误差消除电路(4)的Port1接口相连，Port2接口与所述直流误差消除电路(4)的Port2接口相连，Port3接口与所述电流采样电路(3)的Port3接口相连，Port4接口与所述电流采样电路(3)的Port4接口相连；所述电流采样电路(3)的Port5接口与所述直流误差消除电路(4)的Port5接口相连，所述电流采样电路(3)的Port6接口与所述直流误差消除电路(4)的Port6接口相连。