1.单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路；其特征在于：第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管；第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3的漏极、第四MOS管M4及第五MOS管M5的栅极均接雪崩二极管的阳极；第二MOS管M2、第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4及第五MOS管M5的漏极均接雪崩二极管的阴极；第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4的源极均接地GND；第三MOS管M3及第五MOS管M5的源极均接外部电压VDD；第一MOS管M1的栅极接延迟保持电路的复位输出信号端；

延迟保持电路的信号输入端接雪崩二极管的阴极；所述雪崩二极管的阴极接后续计数电路的脉冲信号输入端；

所述的延迟保持电路包括第一反相器组、第二反相器组、电阻R1、电容C1和或非门；第一反相器组包括m个第一反相器，m＝2；m个第一反相器依次排列，并首尾相连；第二反相器组包括n个第二反相器；m+n为偶数；n个第二反相器依次排列，并首尾相连；第一反相器组中的第1个第一反相器的输入端即为延迟保持电路的信号输入端；第一反相器组中的第m个第一反相器的输出端接电阻R1的一端；第二反相器组中的第1个第二反相器的输入端接电阻R1的另一端及电容C1的一端；电容C1的另一端接地；或非门的第一输入端接第一反相器组中的第1个第一反相器的输入端；第二反相器组中的第n个第二反相器的输出端接或非门的第二输入端；或非门的输出端即为延迟保持电路的复位输出信号端。

2.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，其特征在于：所述的第一反相器及第二反相器均由第六MOS管M6和第七MOS管M7组成；第六MOS管M6为PMOS管；第七MOS管M7为NMOS管；第六MOS管M6的栅极与第七MOS管M7的栅极相连，作为输入端；第六MOS管M6的漏极与第七MOS管M7的漏极相连，作为输出端；第六MOS管M6的源极接外部电压VDD；第七MOS管M7的源极接地。

3.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，其特征在于：所述的或非门包括第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10和第十一MOS管M11；第八MOS管M8及第九MOS管M9为PMOS管；第十MOS管M10及第十一MOS管M11为NMOS管；第八MOS管M8的栅极与第十MOS管M10的栅极相连，作为或非门的第一输入端；第九MOS管M9的栅极与第十一MOS管M11的栅极相连，作为或非门的第二输入端；第八MOS管M8的漏极与第九MOS管M9的源极相连；第九MOS管M9、第十MOS管M10及第十一MOS管M11的漏极相互相连，作为或非门的输出端；第八MOS管M8的源极接外部电压VDD；第十一MOS管M11的源极接地。

4.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路的淬灭/复位方法，其特征在于：步骤一、当单光子来临时，雪崩二极管发生雪崩，阳极电压上升，第四MOS管M4导通，第五MOS管M5截止，雪崩二极管的阴极由第四MOS管M4接地，因此第三MOS管M3导通，使得雪崩二极管的阳极接至高电平，高电平进一步加速雪崩二极管阳极电压的上升；此时，雪崩二极管的阳极电压上升，阴极电压下降，促进雪崩二极管的反偏电压降低到小于击穿电压的状态；同时，雪崩二极管的阴极从高电平降至低电平，产生信号；

步骤二、雪崩二极管的阴极变为低电平后，低电平直接接入或非门的第一输入端，并经延迟保持电路中第一反相器组、第二反相器组、电阻R1、电容C1延迟后接入到或非门的第二输入端；当或非门的第一输入端及第二输入端均置为低电平时，或非门的输出端输出高电平复位信号，使第一MOS管M1导通，雪崩二极管SPAD的阳极由第一MOS管M1接地；进而使得第四MOS管M4截止，第五MOS管M5导通，雪崩二极管的阴极由第五MOS管M5接至高电平，促进了反偏电压增大值大于击穿电压，完成复位。