1.一种智能化低温储粮系统信号校准电路，包括频率采集电路1、频率采集电路2、调频调幅电路和滤波输出电路，其特征在于，所述频率采集电路1、频率采集电路2分别采集智能化低温储粮系统中控制终端接收信号用信号传输通道输入端内的信号频率，该信号传输通道为智能化低温储粮系统中控制终端接收信号采集电路用的模拟信号通道，频率采集电路

1运用二极管D2、二极管D3组成钳位电路将信号钳位在0-+5V内输入调频调幅电路内，所述调频调幅电路运用三极管Q1和电阻R5、电容C2组成延时电路将信号分为两路信号，一路运用运放器AR1、运放器AR2和可变电阻R7组成调幅电路对信号调幅稳压，二路运用三极管Q2、三极管Q3和电容C5组成恒流源电路稳定信号电位，最后两路信号经电阻R18-电阻R20和电容C6-电容C8组成选频电路筛选出单一频率的信号，同时运用三极管Q6、三极管Q7组成的推挽电路稳定信号静态工作点后输入滤波输出电路内，其中三极管Q4、三极管Q5组成的开关电路检测选频电路输出信号电位，并且频率采集电路2输出信号经可控硅VTL1和电容C11、电阻R17组成复合电路检测异常信号为三极管Q4、三极管Q5基极电位，选频电路输出信号和频率采集电路2电位差控制三极管Q4、三极管Q5组成的开关电路的导通，所述滤波输出电路运用电感L2和电容C13、电容C14组成滤波电路滤波后输出，也即是为智能化低温储粮系统中控制终端接收信号用信号传输通道输入端内信号的补偿信号；

所述调频调幅电路包括运放器AR1，运放器AR1的反相输入端接电阻R3和可变电阻R7的一端，电阻R3的另一端接电阻R4、电阻R5、电容C4的一端和三极管Q1的集电极，电阻R4的另一端和运放器AR1的同相输入端接地，运放器AR1的输出端接可变电阻R7的另一端和电容C3的一端，电容C3的另一端接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接运放器AR2的同相输入端，运放器AR2的反相输入端接电阻R9、电阻R10的一端，电阻R9的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R10的另一端和电阻R18、电阻R15、电容C6的一端以及稳压管D5的正极，三极管Q1的基极接电阻R5的另一端和电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R6的一端，电阻R6、电容C2的另一端接地，电容C4的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C5的一端，电阻R13的另一端接二极管D4的正极，二极管D4的负极接三极管Q2的基极和三极管Q3的集电极，电阻R4的另一端接三极管Q2的发射极，三极管Q2的集电极接三极管Q3的基极、三极管Q4的发射极和电容C5的另一端、稳压管D5的负极，三极管Q3的发射极接电阻R15的另一端，电阻R18的另一端接电阻R19、电容C7的一端，电容C6的另一端接电阻R20、电容C8的一端和三极管Q4的集电极、三极管Q5的发射极，电阻R20、电容C7的另一端接地，电阻R19、电容C8的另一端接稳压管D6的负极和三极管Q6、三极管Q7的基极以及二极管D11的正极、二极管D12的负极，二极管D11的负极接二极管D12的正极和三极管Q5的集电极，三极管Q5的基极接三极管Q4的基极，三极管Q6的集电极接电源+5V，三极管Q6的发射极接三极管Q7的发射极，三极管Q7的集电极接可变电阻R21的一端，可变电阻R21的另一端接地。

2.如权利要求1所述一种智能化低温储粮系统信号校准电路，其特征在于，所述滤波输出电路包括运放器AR3，运放器AR3的同相输入端接三极管Q6的发射极，运放器AR3的反相输入端接电阻R22、电阻R23的一端，电阻R22的另一端接地，电阻R23的另一端接运放器AR3的输出端和电感L2的一端以及电阻R24、电容C13的一端，电感L2的另一端接电容C14、电阻R25的一端，电阻R25的另一端接信号输出端口，电阻R24、电容C13的另一端和电容C14的另一端接地。

3.如权利要求1所述一种智能化低温储粮系统信号校准电路，其特征在于，所述频率采集电路1包括型号为SJ-ADC的频率采集器J1，频率采集器J1的电源端接电容C1、电阻R1的一端和二极管D2的负极以及电源+5V，频率采集器J1的接地端接地，频率采集器J1的输出端接电阻R1、电容C1的另一端和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接稳压管D1的负极和二极管D2的正极、二极管D3的负极以及三极管Q1的集电极，稳压管D1的正极接地，二极管D3的正极接地；

所述频率采集电路2包括型号为SJ-ADC的频率采集器J2，频率采集器J2的电源端接电容C9、电阻R11的一端和二极管D7的负极以及电源+5V，频率采集器J2的接地端接地，频率采集器J1的输出端接电阻R11、电容C9的另一端和电阻R12的一端，电阻R12的另一端接稳压管D8的负极和二极管D7的正极、二极管D9的负极以及可控硅VTL1的正极、稳压管D10的负极，稳压管D8的正极接地，二极管D9的正极接地，可控硅VTL1的负极接电阻R16的一端，可控硅VTL1的控制极接稳压管D10的正极和电阻R17、电容C11的一端，电阻R17、电容C11的另一端接地，电阻R16的另一端接电容C12的一端，电容C12的另一端接三极管Q4的基极。