1.基于分子间相互作用的粗粒化方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1、对晶体材料进行量子力学计算：根据晶体材料的晶向对晶体材料的单体分子进行建模，并用QM方法进行计算，计算完成后，改变两个单体分子之间的距离，重新计算；经过一系列的计算后，得到距离‑能量矩阵；

步骤2、对三斜晶系进行校正：对于三斜晶系材料，对其晶体结构进行正交化处理，得到斜方晶系；

步骤3、建立伪化学键模型：根据步骤2的斜方晶系建立伪化学键模型，具体为，模型x、y、z三个方向的距离依据校正后的斜方晶系晶格常数确定，然后将每一个晶体材料单体粗粒化为一个珠子，珠子与珠子之间，使用伪化学键连接，伪化学键不是真正意义上的化学键，他的长度远远超出了化学键的长度，表示成一种分子间的相互作用；

步骤4、对Morse函数参数进行拟合：对步骤1计算得到的距离‑能量矩阵进行Morse函数参数拟合，得到D、α、r0的参数矩阵；

步骤5、将步骤4获得的参数矩阵和步骤3建立的模型带入MD框架进行模拟；

步骤6、输出模拟结果：输出需要的计算结果或者可视化轨迹。

2.根据权利要求1所述基于分子间相互作用的粗粒化方法，其特征在于：步骤2所述对于三斜晶系材料的正交化处理为，a′＝a,b′＝b×cos(γ‑90),c′＝c×cos(α‑90),a、b、c、α、β、γ是指原三斜晶系中的6个晶体参数，其中a、b、c是指晶胞的三组棱长，α、β、γ是指三组棱相互间的夹角，带′的是正交化为斜方晶系后的6个晶体参数。

3.根据权利要求1所述基于分子间相互作用的粗粒化方法，其特征在于：所述伪化学键的长度远远超出化学键的长度，且不表示成对电子，而表示为一种分子间的相互作用，且不同方向的伪化学键的键长和类型不同。

4.根据权利要求1‑3任一项所述基于分子间相互作用的粗粒化方法，其特征在于：步骤

5MD框架模拟中将键角设置为90°或180°。

5.根据权利要求4所述基于分子间相互作用的粗粒化方法，其特征在于：在MD模拟中，在一个晶体颗粒内，使用伪化学键描述分子之间的相互作用，而在不同的晶体颗粒之间使用Morse对势来描述相互作用。