1.一种WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)配置25mmol/L的钨酸钠溶液，滴加盐酸调节pH为1-4；配置55mmol/L草酸铵水溶液，缓慢加入到钨酸钠溶液中，搅拌30min；将该混合液和洗净的FTO玻璃转入反应釜中，FTO导电面朝下，140℃下水热反应6h；水热后的产品在500℃下煅烧2h，即得WO3薄膜；2)称取一定量硝酸铜，溶解于乙酸溶液中，将该溶液滴加到WO3薄膜电极上，室温干燥，重复该操作1-5次；之后，550℃马弗炉中煅烧2h，冷却，盐酸浸泡，水洗，即得WO3/CuWO4薄膜电极；3)配制一定浓度的硝酸铁和硝酸镍混合溶液，将WO3/CuWO4插入该溶液中，稳定2min，采用三电极体系，恒电位沉积不同时间，NiFe层状双金属(LDH)生长在WO3/CuWO4电极表面，取出，水洗，空气中干燥，即得WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极。2.根据权利要求1所述的一种WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，其特征在于步骤2所述硝酸铜浓度为5-100mmol/L。3.根据权利要求1所述的一种WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，其特征在于步骤3所述硝酸铁和硝酸镍的浓度为0.5-10mmol/L，其中Fe：Ni摩尔比为1:20-50:1。4.根据权利要求1所述的一种WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3所述恒电位为-0.8～-1.3V(vs.Ag/AgCl)。5.根据权利要求1所述的一种WO3/CuWO4/NiFe  LDH三元复合光电极薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3所述恒电位沉积时间为10-600s。