1.一种PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层，具体过程为：将粒径为3‑4 nm的ZnO溶于乙醇中，得到浓度为30 mg/ml的溶液进行旋涂，80 ℃退火30 min，然后在60℃条件下退火30 min，即得；

（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，80 ℃退火10 min，制得界面修饰层A；其中，将PEIE溶于乙醇中得到浓度为0.4 mg/ml的PEIE溶液；

（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；ZnCdSeS/ZnS绿光量子点的粒径为8 nm，将量子点溶于甲苯中制得浓度为18 mg/ml的溶液然后进行旋涂，100 ℃退火10 min，制得量子点发光层；

（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液制得界面修饰层B，其中，界面修饰层B通过将PEIE溶于乙二醇甲醚中得到浓度为0.5 mg/ml的溶液，旋涂，100 ℃退火10 min，即得；

（5）在界面修饰层B上依次沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK，将PVK溶于氯苯中得到浓度为10 mg/ml，然后旋涂，100 ℃退火15 min，制得空穴传输层，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；

（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可；

所述衬底为单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极；

ZnO电子注入层的厚度为40nm，界面修饰层A的厚度为4nm，量子点发光层厚度为30nm，界面修饰层B的厚度为5nm，空穴传输层厚度为35nm，空穴注入层厚度为35 nm，顶电极厚度为100nm，所述封装采用紫外光固化树脂；

所述单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极的制备过程如下：（a）单晶石墨烯的转移

在生长有0.5 nm‑1 nm石墨烯的铜箔表面上以600 rpm/6 s和1500 rpm/15 s旋涂PMMA光刻胶，180 ℃退火5 min；然后将PMMA/石墨烯/铜箔放入2 mol/mL的FeCl3溶液中，将铜箔刻蚀除去；再将PMMA/石墨烯转移到浓盐酸︰去离子水=1:1的溶液中浸泡30 min，浓盐酸为

36‑38wt%，清洗，将PMMA/石墨烯转移至SiO2/Si基底上，室温晾干；将PMMA/石墨烯/基底用丙酮熏蒸或浸泡去除PMMA，完成石墨烯的转移，制得石墨烯/SiO2/Si基底；

（b）喷涂法制备图案化银纳米线导电薄膜取出银纳米线原液，在100 W的超声功率下超声2‑3 min，再配置成0.2mg/ml乙醇溶液待用，将石墨烯/SiO2/Si基底放在温度为110 ℃的加热台上，在掩膜版的覆盖下，调整喷枪与基底距离，以每次1 ml的量进行循环喷涂，直至得到目标图案的AgNWs/石墨烯/SiO2/Si基底，银纳米线厚度为 300 nm；

 （c）紫外光固化树脂的固化成膜和脱模将制备好的AgNWs/Gr/SiO2/Si基底表面上旋涂紫外光固化树脂，用80 W紫外固化灯固化薄膜60‑90 min，制得树脂 /AgNWs/石墨烯/SiO2/Si薄膜，然后将树脂 /AgNWs/石墨烯/SiO2/Si薄膜浸泡在质量分数为20%的氢氟酸溶液中腐蚀掉SiO2层，从而使树脂 /AgNWs/石墨烯薄膜与Si衬底脱离，最后依次用乙醇，去离子水对薄膜进行冲洗，用氮气吹干，得到单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极；

步骤（c）中紫外光固化树脂的规格为NOA63，以500 rpm旋涂9 s，厚度为1 mm。

2.权利要求1所述的制备方法制得的PEIE介入标准倒置QLED器件。