1.一种非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，自热沉(1)起由下而上若干阵列基片(2)、微通道散热板(3)交替叠放，最上方为阵列基片(2)；微通道散热板(3)内部布设冷却液微通道；阵列基片(2)的数量为3～5个；阵列基片(2)由衬底(4)及在衬底(4)上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔(5)构成，所述阵列方式是指若干非对称微盘腔(5)按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列，所述各个非对称微盘腔(5)出光方向相同且朝向前方，后排激光器线列中的非对称微盘腔(5)出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔(5)的几何中心相距二分之一几何中心距。

2.根据权利要求1所述的非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，所述非对称微盘腔(5)为椭圆形微盘腔或者蜗线形微盘腔。

3.根据权利要求1所述的非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，阵列基片(2)中的前排激光器线列、后排激光器线列中的非对称微盘腔(5)数量相同，为4～19个。

4.根据权利要求1所述的非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，后排激光器线列相对于前排激光器线列向右或者向左错开所述二分之一几何中心距，阵列基片(2)因此区分为向右错开阵列基片、向左错开阵列基片两种；向右错开阵列基片、向左错开阵列基片变换叠放构成所述非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵。

5.根据权利要求1所述的非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵，其特征在于，当非对称微盘腔(5)为蜗线形微盘腔，在每个蜗线形微盘腔后方布设一个凹柱面反射镜(6)，凹柱面反射镜(6)与蜗线形微盘腔同时在衬底(4)上制作，凹柱面反射镜(6)与蜗线形微盘腔高度相同，凹柱面反射镜(6)上表面绝缘。