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专利号: 2019103223146
申请人: 西安工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置,包括真空室(13)、微波源(12)、等离子体源(14)和基座(15),基座(15)上设置有样品台(16),样品台(16)上设置有固定座(17),其特征在于:所述固定座(17)的等离子体源(14)一侧垂直设置有安装板(8),安装板(8)上固定有喷嘴装置;

所述喷嘴装置包括石英管(2)、金属喷头(4)和金属连接管(9),石英管的一端渐缩,缩小端设置有金属喷头(4),所述金属喷头(4)与钨丝(3)一端焊接,钨丝(3)另一端通过真空转换连接器(18)与直流电源负极相连。

2.如权利要求1所述的一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置,其特征在于:所述金属连接管(9),外表面设有螺纹,中部设置有定位环(1),金属连接管(9)固定穿设于安装板(8)上,定位环(1)位于安装板(8)的外侧。

3.一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的方法,其特征在于:将带有金属微孔(7)的样品(6)放入固定座(17)内,金属微孔(7)与喷嘴装置的金属喷头(4)同轴设置且两者之间的间隙为1mm,将真空室内的气体压力降低到1Pa,注入2.45 GHz微波,使微波源(12)的出射端与石英窗口(10)接触,钨丝(3)一端连接到金属喷头(4)上,另一端通过真空转换连接器(18)直接与直流电源提的负极相连接,把负偏压经钨丝施加到金属喷头(4)上;样品(6)与直流电源正极相连通;喷嘴装置与反应气体管连通;在微波源(12)的作用下,在样品(6)的金属微孔(7)内沉积类金刚石薄膜;

所述方法的工艺参数为:

Ar: 35~45 sccm;CH4:180~22 0 sccm;TMS:15~25 sccm;总气流:200~300 sccm;

基底偏压:-200 -500V;脉冲频率:300 600 Hz;占空比:30 60%;

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沉积温度:250 300℃;工作气压:60 100Pa;沉积时间:10 40秒。

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