1.一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤11，在AlGaN/GaN HEMT外延结构上形成刻蚀阻挡层；

步骤12，对所述刻蚀阻挡层进行图形化，露出预设为栅槽部分的外延结构表面；

步骤13，将所述露出预设为栅槽部分的外延结构表面置于等离子体腔室内，在低压环境下通入刻蚀气体，调节气压为3‑8Pa，打开电感天线射频电源激发电容耦合的等离子体，等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，对所述露出预设为栅槽部分的外延结构表面进行逐原子层刻蚀，形成深度可控的栅槽结构；

所述刻蚀气体为N2和SF6；

所述等离子体是由低频非平行板式电容耦合等离子体对SF6和N2混合气体进行辉光放电形成；

所述等离子体采用螺旋电感天线但却工作在电容耦合模式下；

所述刻蚀的过程中，刻蚀速率为2‑3nm/min。

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2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体密度为10‑10 cm 。

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3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体密度为10cm 。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体SF6和N2的流量为5‑50sccm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子源的功率为100‑300W。

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6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤13中低压环境为3×10 ～10 Pa。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀过程中AlGaN/GaN HEMT处于匀速旋转状态。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlGaN/GaN HEMT外延结构包括：采用MOCVD在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电感天线采用低频螺旋电感天线，其频率为0.5‑2MHz。