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专利号: 2019103285369
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-08-07
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极;

其特征在于电子传输层、钙钛矿光敏活性层之间设置有界面钝化层;或钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间设置有界面钝化层;或者电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间同时设置有界面钝化层;所述界面钝化层为核壳结构的Au@CdS纳米颗粒的涂层。

2.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述透明导电衬底为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃或镀有ITO的柔性透明塑料。

3.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述电子传输层为SnO2薄膜或SnO2量子点薄膜;

所述SnO2薄膜以溶液法制备得到:

0.1M SnCl2·2H2O溶于乙醇中,旋涂法将其涂在导电衬底上,在空气中180℃退火1小时;

所述SnO2量子点薄膜以溶液法制备得到:

0.13M SnCl2·2H2O和硫脲溶于去离子水中,搅拌24小时后,得到透明黄色溶液,将其旋涂在导电衬底上,在空气中200℃退火1小时。

4.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述钙钛矿光敏活性层为CH3NH3PbI3钙钛矿光敏活性层或三元混合(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16(Cs=cesium,MA=CH3NH3,FA=HC(NH2)2)混合钙钛矿光敏活性层。

5.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述Au@CdS纳米颗粒的Au颗粒大小为5-30nm;CdS包裹厚度为10-100nm。

6.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述空穴传输层为2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene。

7.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述金属电极为Cu电极、Au电极或Ag电极。

8.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述界面钝化层以Au@CdS纳米颗粒为溶质、氯苯为溶剂,制备成为浓度0.0075-0.03mmol/ml,通过旋涂法或反溶剂法制备而成。