1.一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：包括第一金属膜(1)、第一发光层(2)、石墨烯层(3)、第二发光层(4)、第二金属膜(5)构成的多层结构；所述第一金属膜(1)的上方设置有第一发光层(2)，所述第一发光层(2)的上方设置有石墨烯层(3)，所述石墨烯层(3)的上方设置有第二发光层(4)，所述第二发光层(4)的上方设置有第二金属膜(5)。

2.如权利要求1所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述石墨烯层(3)为多个同向排列的石墨烯条组成。

3.如权利要求2所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述石墨烯层(3)为多个周期性排列的石墨烯条组成。

4.如权利要求3所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述石墨烯条的排列周期为100nm～300nm。

5.如权利要求2所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述石墨烯条之间填充有二氧化硅(6)。

6.如权利要求1所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述石墨烯层(3)为V形波浪平面。

7.如权利要求1所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述第一发光层(2)、第二发光层(4)为量子阱层。

8.如权利要求7所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述量子阱层为GaAs或InGaAs制成。

9.如权利要求7所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述量发光层(5)的厚度为50nm～80nm。

10.如权利要求1所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述第一金属膜(1)、第二金属膜(5)均是由金或银或铜制成。