1.一种低应力类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于：

以双面抛光Si和Ge为基片材料，交替沉积生长a-C/a-C:H多层渐变结构薄膜，得到具有不同sp3和sp2杂化态的DLC薄膜；

所述交替沉积生长的具体步骤如下：

开启抽真空接口对应的机械泵电源，打开低真空计，低真空计示数小于15Pa时，打开闸板阀，接着打开分子泵电源，当低真空计指示数小于0.5Pa 时，打开高真空计，打开分子泵电源，真空度达到2.0×10-8Pa后，关闭高真空计，开始对腔体加热直至腔体温度稳定， 10分-7钟后，再次打开高真空计，此时高真空计的示数为本底真空值，本底真空度为2.0×10 Pa；

打开溅射电源柜电源，使装置充分预热30分钟；在溅射电源预热的同时对腔体充入工作气体源，打开针阀，进行配气；射频电源预热后，启动溅射按钮，调节离子源和氩气气源的旋钮匹配，直至产生辉光，调节反射值，当辉光稳定后，调节功率旋钮和偏压旋钮；预溅射10分钟后，打开挡板，开始交替溅射生长a-C型和a-C:H型DLC薄膜；整个实验过程中辉光持续稳定，无明显颜色变化，关上挡板，降入射功率为0，然后顺序关闭电源。

2.根据权利要求1所述的一种低应力类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于：所述溅射过程使用的靶材为99.99%的高密度石墨，靶材尺寸为50×5mm。