1.一种基于等离激元效应的多参数测量传感芯片，其特征在于，包括热膨胀聚合物底层，所述底层上设置有环形金属狭缝阵列，所述环形金属狭缝内圆为金属块，所述金属块附着在热膨胀聚合物底层上。

2.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片，其特征在于，还包括外壳，所述外壳套在热膨胀聚合物底层外。

3.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片，其特征在于，所述热膨胀聚合物底层为水凝胶底层。

4.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片，其特征在于，所述金属为金或银。

5.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片，其特征在于，所述环形金属狭缝阵列为一维环形金属狭缝阵列或二维环形金属狭缝阵列。

6.如权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过在玻璃衬底上复合PS微球阵列，微球阵列之间填充二氧化硅溶液，然后用O2反应进行RIE刻蚀镀Ag，得到环形银狭缝腔阵列；

(2)用氢氟酸来刻蚀准备好的二维环形银狭缝腔阵列的底衬玻璃和SiO2填充物；

(3)用四氢呋喃溶剂溶解结构中的PS微球，使得二维环形银狭缝腔阵列仅剩上面的环形银狭缝，(4)将上一步得到的结构反过来贴附到水凝胶上，紫外，固化后用Ar离子轰击上边部分，套上保护外壳，即得到多参数测量传感芯片。