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专利号: 2019103621196
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,包括:若干个呈周期排列的正方形周期单元,该正方形周期单元共有三层,类似三明治结构,由上至下分别是第一金属贴片层(1)、连续介质层(2)、第二金属贴片层(3),第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)即为H形金属贴片,所述H形金属贴片由一对平行金属条和一个连接它们的金属条组成,第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)的一对平行金属条均沿着y轴方向摆放,连接它们的金属条沿着x轴方向摆放,第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)之间的电谐振与磁谐振实现了太赫兹波的高透射率。

2.根据权利要求1所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)的周期与连续介质层(2)的周期均为90 110~μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述H形金属片的平行金属条对的长度为60 75μm,连接它们的金属条的长度为75 90μm,金~ ~属条的线宽均为4 6μm。

~

4.根据权利要求1所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)的材料为金、银、铜中的一种,厚度为50~

500nm。

5.根据权利要求4所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述第一金属贴片层(1)和第二金属贴片层(3)是厚度为0.2μm、电导率为4.561×107S/m的金层。

6.根据权利要求1-5之一所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述连续介质层(2)介电常数为3.0 4.0,损耗正切为0.0027 0.27,其厚度为40 55μ~ ~ ~m。

7.根据权利要求1-5之一所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,所述连续介质层(2)的材料为聚酰亚胺、罗杰斯系列、熔融石英中的一种。

8.根据权利要求3所述的一种基于H形结构的宽带太赫兹四分之一波片,其特征在于,入射波的极化方向与+x方向夹角为45°,当其沿-z方向入射到超材料结构太赫兹四分之一波片时,由于透射波并非理想的圆极化波,当透射波的轴比AR≤3dB时即视为可用的圆极化波,太赫兹四分之一波片的工作带宽即为轴比AR≤3dB的带宽。