1.一种双波长交替调Q窄脉冲激光器，其特征在于，所述激光器包括：第一泵浦源(1)、第一光纤(2)、第一耦合透镜组(3)、第一激光全反射镜(4)、第一激光增益介质(5)、第一起偏器(6)、第一棱镜(7)、第一45°反射镜(8)、电光调Q晶体(9)、第二45°反射镜(10)、四分之一波片(11)、第二棱镜(12)、激光腔前腔镜(13)、第二起偏器(14)、第二激光增益介质(15)、第二激光全反射镜(16)、第二耦合透镜组(17)、第二光纤(18)和第二泵浦源(19)，其中：所述第一激光增益介质(5)与第二激光增益介质(15)平行放置，且与激光输出方向垂直；

所述第一耦合透镜组(3)置于所述第一泵浦源(1)的后方，用于将所述第一泵浦源(1)发出的光以布儒斯特角耦合进第一激光增益介质(5)中；

所述第二耦合透镜组(17)置于所述第二泵浦源(19)的后方，用于将所述第二泵浦源(19)发出的光以布儒斯特角耦合进第二激光增益介质(15)中；

所述第一激光全反射镜(4)和所述第一激光增益介质(5)依次置于所述第一耦合透镜组(3)远离所述第一泵浦源(1)的一侧；

所述第二激光全反射镜(16)和所述第二激光增益介质(15)依次置于所述第二耦合透镜组(17)远离所述第二泵浦源(19)的一侧。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：

所述第一泵浦源(1)和第一耦合透镜组(3)通过所述第一光纤(2)连接；

所述第二泵浦源(19)和第二耦合透镜组(17)通过所述第二光纤(18)连接。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：

所述第一起偏器(6)和第一45°反射镜(8)依次置于第一激光增益介质(5)远离第一激光全反射镜(4)的后方，且所述第一起偏器(6)与第一45°反射镜(8)平行放置；

所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)依次置于第二激光增益介质(15)远离第二激光全反射镜(16)的后方，且所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)垂直放置；

所述第一45°反射镜(8)与第二45°反射镜(10)同轴放置。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：

所述四分之一波片(11)置于所述第二起偏器(14)和第二45°反射镜(10)之间，并垂直于所述第二45°反射镜(10)放置；

所述电光调Q晶体(9)置于第一45°反射镜(8)和第二45°反射镜(10)之间，且垂直于激光输出方向放置。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：

所述第一棱镜(7)置于第一45°反射镜(8)远离所述电光调Q晶体(9)的一侧，且垂直于激光输出方向放置；

所述第二棱镜(12)、激光腔前腔镜(13)依次置于第二45°反射镜(10)远离所述电光调Q晶体(9)的另一侧，且垂直于激光输出方向放置。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一激光全反射镜(4)、第一激光增益介质(5)、第一起偏器(6)、第一棱镜(7)、第一45°反射镜(8)、电光调Q晶体(9)、第二45°反射镜(10)、第二棱镜(12)和激光腔前腔镜(13)构成第一路激光谐振腔；

所述第二激光全反射镜(16)、第二激光增益介质(15)、第二起偏器(14)、四分之一波片(11)、第二45°反射镜(10)、电光调Q晶体(9)、第一45°反射镜(8)、第二棱镜(12)和激光腔前腔镜(13)构成第二路激光谐振腔。

7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：

所述第一泵浦源(1)和第二泵浦源(19)均为半导体泵浦源；

所述第一激光增益介质(5)和所述第二激光增益介质(15)均为板条介质；

所述第一棱镜(7)和第二棱镜(12)均为菱形棱镜。

8.根据权利要求1所述的激光器，所述激光器还包括第一激光电源(24)和第二激光电源(20)，其中：所述第一激光电源(24)与所述第一泵浦源(1)连接，用于为所述第一泵浦源(1)提供电源；

所述第二激光电源(20)与所述第二泵浦源(19)连接，用于为所述第二泵浦源(19)提供电源。

9.根据权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括调Q模块驱动系统(22)和中央控制系统(23)，其中：所述调Q模块驱动系统(22)与电光调Q晶体(9)和调Q模块(21)连接，用于向所述电光调Q晶体(9)施加调Q方波驱动信号；

所述中央控制系统(23)置于所述第一激光电源(24)和第二激光电源(20)的前方，与所述第一激光电源(24)、第二激光电源(20)和调Q模块驱动系统(22)连接，用于统一控制所述第一激光电源(24)、第二激光电源(20)和调Q模块驱动系统(22)。

10.一种双波长交替调Q窄脉冲激光输出方法，应用于如权利要求1-9任一项所述的激光器中，其特征在于，所述方法包括：通过中央控制系统(23)控制第一泵浦源(1)和第二泵浦源(19)的时序，使其在泵浦增益介质的每一个周期内，分别对第一激光增益介质(5)和第二激光增益介质(15)进行交替脉冲泵浦；

对电光调Q晶体(9)施加四分之一波长电压，第二泵浦源(19)对第二激光增益介质(15)进行泵浦，第一泵浦源(1)处于间歇状态，第二谐振腔处于储能状态，当第二谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体(9)退去四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第二波长λ2脉冲激光；

第一泵浦源(1)对第一激光增益介质(5)进行泵浦，第一谐振腔处于储能状态，第二泵浦源(19)处于间歇状态，当第一谐振腔的光子数达到最大时，对电光调Q晶体(9)施加四分之一波长电压，光能从腔内倒出腔外，输出第一波长λ1脉冲激光；

周期性重复电光调Q晶体(9)加压和退压，得到基于腔倒空技术的双波长交替调Q窄脉冲激光输出。