1.一种单纵模调Q双脉冲激光器，其特征在于，所述激光器包括：第二泵浦源、第二激光增益介质、第一泵浦源、第二激光输出镜、第一激光输出镜，第一激光增益介质、第二起偏器、第一起偏器、四分之一波片、棱镜、电光调Q晶体和激光全反射镜，其中：所述第一泵浦源置于所述第一激光增益介质的前方，用于为所述第一激光增益介质提供脉冲泵浦光；

所述第二泵浦源置于所述第二激光增益介质的前方，用于为所述第二激光增益介质提供脉冲泵浦光；

所述第一激光输出镜、第一激光增益介质、第一起偏器、电光调Q晶体以及激光全反射镜构成第一路激光谐振腔；

所述第二激光输出镜、第二激光增益介质、第二起偏器、四分之一波片、棱镜、电光调Q晶体以及激光全反射镜构成第二路激光谐振腔；

当电光调Q晶体阶跃式退压时，输出第一路单纵模激光，当电光调Q晶体阶跃式加压时，输出第二路单纵模激光，重复电光调Q晶体阶跃式加压和阶跃式退压状态，输出单纵模调Q双脉冲激光。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一激光增益介质与第二激光增益介质平行放置，且与激光输出方向一致。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一激光输出镜置于第一激光增益介质的一侧，所述第二激光输出镜置于第二激光增益介质的一侧，且均垂直于激光输出方向放置，所述第一起偏器置于所述第一激光增益介质的另一侧，所述第二起偏器置于所述第二激光增益介质的另一侧。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述棱镜置于所述第一起偏器和第二起偏器远离第一激光增益介质和第二激光增益介质的一侧，所述四分之一波片置于所述第二起偏器与所述棱镜之间。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述电光调Q晶体和激光全反射镜依次置于所述棱镜远离第一起偏器和第二起偏器的一侧。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括电光晶体驱动模块，所述电光晶体驱动模块与电光调Q晶体、第一激光电源和第二激光电源连接，用于为电光调Q晶体施加调Q驱动信号。

7.根据权利要求6所述的激光器，其特征在于，所述调Q驱动信号为阶跃式高压信号。

8.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括温控系统和中央控制系统，其中：所述温控系统放置于所述第一激光增益介质的后方，与所述中央控制系统连接，用于根据中央控制系统的指令控制激光器的工作温度；

所述中央控制系统与第一激光电源、第二激光电源、温控系统和电光晶体驱动模块连接，用于对于第一激光电源、第二激光电源、温控系统和电光晶体驱动模块进行统一控制。

9.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一泵浦源和第二泵浦源均为半导体泵浦源。

10.一种单纵模调Q双脉冲激光输出方法，应用于如权利要求1-9任一项所述的激光器中，其特征在于，所述方法包括：对电光调Q晶体施加四分之一波长电压；

第一泵浦源对第一激光增益介质进行脉冲泵浦，第一路激光谐振腔处于高损耗状态，第一激光增益介质处于粒子数反转状态，当第一激光增益介质的反转粒子数达到最大时，电光调Q晶体处于阶跃式退压，施加在电光调Q晶体上的电压变为零，输出第一路单纵模激光；

第二泵浦源对第二激光增益介质进行脉冲泵浦，施加在电光调Q晶体上的电压为零，第二路激光谐振腔处于高损耗状态，第二激光增益介质处于粒子数反转状态，当第二激光增益介质的反转粒子数达到最大时，对电光调Q晶体施加四分之一波长电压，输出第二路单纵模激光；

周期性重复电光调Q晶体阶跃式加压和阶跃式退压状态，输出单纵模调Q双脉冲激光。