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专利号: 2019103891570
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于为两端口器件,为三层结构:

底层包括金属薄片;所述的金属薄片刻蚀有一个刻槽CSRR结构;

中间层包括介质层;

顶层包括微带线、两个50Ω电阻和两个SMA连接头;

微带线结构,包括分别位于介质层两侧的一个输入端口和一个输出端口,所述两端口用于连接SMA连接头,所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通;

所述输入端口与输出端口之间通过三段微带线连接,所述三段微带线包括第一微带线Ⅰ、第二微带线Ⅰ和微带线Ⅱ,第一微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与微带线Ⅱ的一端焊接,第二微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与微带线Ⅱ的另一端焊接,第一微带线Ⅰ、第二微带线Ⅰ的另一端分别作为输入输出端口;第一微带线Ⅰ、微带线Ⅱ和第二微带线Ⅰ位于同一直线;微带线Ⅱ耦合刻槽CSRR结构;

所述刻槽CSRR结构由内外槽环构成,内外槽环均设有一个开口,且开口朝向均相同,朝向输入端口或输出端口;所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折,所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟,其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大,电场强度最小的区域,该区域放置待测样品用于测量样品磁导率;内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大,磁场强度最小的区域,该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。

2.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述微带线Ⅱ的宽度小于第一微带线Ⅰ、第二微带线Ⅰ的宽度。

3.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述介质层为方形PCB板。

4.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述刻槽CSRR结构的中心与微带线Ⅱ的中心在平面位置上相对重合。

5.如权利要求4所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述刻槽CSRR结构的外侧两端与微带线Ⅱ两端的最近距离d2均为1.45mm。

6.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述刻槽CSRR结构内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。

7.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器,其特征在于所述刻槽CSRR结构外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定距离的空隙。