1.一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：包括CoMoO4纳米片阵列的制备、无定形CoMoS4纳米片阵列的制备以及无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备三个步骤；

所述CoMoO4纳米片阵列的制备方法是先在室温下，将清洗过的泡沫镍浸没于六水合硝酸钴和七水合钼酸钠的混合水溶液中，密封加热到80～180℃进行水热反应，保温4～10h，冷却至室温，得到反应产物A；然后将反应产物A清洗、干燥，得到生长在所述泡沫镍上的CoMoO4纳米片阵列；

所述无定形CoMoS4纳米片阵列的制备方法是先在室温下，将生长有所述CoMoO4纳米片阵列的泡沫镍置于硫化钠溶液中，密封加热到60～120℃进行水热反应，保温4～10h，然后冷却至室温，得反应产物B，然后将反应产物B清洗、干燥，得到生长在所述泡沫镍上的无定形CoMoS4纳米片阵列；

所述无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法是先在室温下，将生长有所述无定形CoMoS4纳米片阵列的泡沫镍置于六水合氯化镍、二氧化硒和尿素的混合水溶液中，密封加热到100～200℃进行水热反应，保温5～20h，然后冷却至室温，得反应产物C；

最后将反应产物C清洗、干燥，得到所述无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：所述六水合硝酸钴和七水合钼酸钠的混合水溶液中，所述六水合硝酸钴和七水合钼酸钠的摩尔比为1：0.5～2，所述六水合硝酸钴和去离子水的用量比为1mmol：10～

15mL。

3.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：所述硫化钠溶液中，所述硫化钠和去离子水的用量比为1mmol∶25～35mL。

4.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：所述六水合氯化镍、二氧化硒和尿素的混合水溶液中，所述六水合氯化镍、二氧化硒和尿素的摩尔比为1∶1～4∶5～20，所述六水合氯化镍和去离子水的用量比为1mmol∶50～70mL。

5.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：所述清洗步骤是依次采用去离子水和乙醇清洗多次。

6.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法，其特征在于：所述干燥为真空干燥。

7.根据权利要求1所述的一种无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料的制备方法所制备得到的所述无定形CoMoS4/NiSe纳米片阵列复合材料作为超级电容器电极材料的应用。