1.一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，其特征在于，包括两个推挽电路、两个电容辅助电路，所述两个推挽电路和两个电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路，所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管构成；

在控制器的两个控制信号输出端分别连接于两个光耦芯片输入端，两个所述光耦芯片的输出端分别连接所述两个推挽电路和所述两个电容辅助电路的控制信号输入端，所述两个推挽电路的两个输出端分别与所述主电路的同一桥臂上的两个SiC MOSFET开关管的栅极连接；

两个所述光耦芯片的输出端分别连接在所述两个电容辅助电路中两组三极管的基极，所述两个电容辅助电路中两组三极管的集电极分别通过两组辅助电容与所述主电路的同一桥臂上两个SiC MOSFET开关管的源极相连接；

两组所述三极管的发射极分别连接到所述主电路的同一桥臂上下两个SiC MOSFET开关管的栅极，两组所述三极管的发射极和集电极之间分别反并联两组二极管，所述同一桥臂上下两个SiC MOSFET开关管的源极分别接两个隔离电源芯片的0V输出管脚；

所述两个电容辅助电路中两组三极管为两个PNP三极管和两个NPN三极管，所述电容辅助电路由两组三极管和四个辅助电容组成；所述控制器输出的两个控制信号分别经过两个所述光耦芯片输入到所述两个电容辅助电路的两个NPN三极管和两个PNP三极管的基极；两个PNP三极管和两个NPN三极管的集电极分别通过四个所述辅助电容连接在两个所述SiC MOSFET开关管的源极；

所述推挽电路包括由两个具有+20V、0V和‑5V三个引脚的隔离电源芯片，两个非门和两组 MOSFET器件组成，每组MOSFET器件数量为两个，两个所述隔离电源芯片输出的控制信号分别通过两个非门传输到两组MOSFET器件的栅极；两个所述隔离电源芯片的+20V和‑5V两个引脚分别连接于两组所述MOSFET器件的源极，所述两个推挽电路的两个输出端分别通过驱动电阻连接在所述主电路中两个所述SiC MOSFET开关管的栅极上；

两组所述MOSFET器件的开通电压的两引脚为20V和0V，其关断电压的两引脚为0V和‑

5V；

与两个所述SiC MOSFET开关管栅源极并联的两个所述辅助电容的开通电压为+20V，另外两个所述辅助电容的关断电压为‑5V；

所述控制器的控制信号依次通过两个所述光耦芯片输入端、两个所述光耦芯片输出端，两个所述光耦芯片根据控制器的控制信号分别输出g1控制信号和g2控制信号，g1控制信号和g2控制信号分别输入至两个所述SiC MOSFET开关管分别对应的所述推挽电路的输入端，两个所述推挽电路的输出端传输至所述主电路的同一桥臂上的两个所述SiC MOSFET开关管的栅极上；

同时两个所述光耦芯片输出的所述g1控制信号和g2控制信号还分别传输至两个所述SiC MOSFET开关管对应的电容辅助电路中的两组三极管的基极上。