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专利号: 201910412273X
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-03-14
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种功耗自动调节时域比较器,其特征在于,包括:比较控制信号、第一输入信号、第二输入信号、电平输出端、计数值输出端、第一与非门、第二与非门、正向输入缓冲器链、反向 输入缓冲器链和计数器;其中:所述正向输入缓冲器链(B1)和所述反向 输入缓冲器链(B2)均由N个二输入信号控制的缓冲器级联组成,N为正整数;其中:所述二输入信号控制的缓冲器,含有:三个PMOS管:第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3);三个NMOS管:第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3);其中:

所述第一PMOS管(MP1)的源极及所述第三PMOS管(MP3)的源极与参考电源(VDD)耦接,所述第一PMOS管(MP1)的栅极与第一控制信号(Vp)耦接,所述第一PMOS管(MP1)的漏极与所述第二PMOS管(MP2)的源极耦接,所述第二PMOS管(MP2)的栅极及所述第一NMOS管(MN1)的栅极与所述二输入信号控制的缓冲器的输入端(in)耦接,所述第一NMOS管(MN1)的源极及所述第三NMOS管(MN3)的源极与地(Gnd)耦接,所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第三PMOS管(MP3)的栅极及所述第二NMOS管(MN2)的栅极耦接,所述第三PMOS管(MP3)的漏极及所述第二NMOS管(MN2)的漏极与所述二输入信号控制的缓冲器的输出端(out)耦接,所述第三NMOS管(MN3)的栅极与所述二输入信号控制的缓冲器的第二控制信号(Vn)耦接,所述第二NMOS管(MN2)的源极与所述第三NMOS管(MN3)的漏极耦接;

所述第一与非门(G1)的第一输入端(C)及所述第二与非门(G2)的第一输入端(F)与所述比较控制信号(S)耦接,所述第一与非门(G1)的输出端与所述正向输入缓冲器链(B1)的输入端耦接,所述正向输入缓冲器链(B1)的第一控制信号(Vp)及所述反向输入缓冲器链(B2)的第二控制信号(Vn)与所述第一输入信号(Vip)耦接,所述正向输入缓冲器链(B1)的第二控制信号(Vn)及所述反向输入缓冲器链(B2)的第一控制信号(Vp)与所述第二输入信号(Vin)耦接,所述正向输入缓冲器链(B1)的输出端(Vout)及所述第二与非门的第二输入端(E)与所述计数器的时钟输入端(C)耦接,所述第二与非门的输出端与所述反向输入缓冲器链(B2)的输入端耦接,所述反向输入缓冲器链(B2)的输出端与所述第一与非门的第二输入端(D)耦接,所述计数器的复位端(R)与所述比较控制信号(S)的反信号(SN)耦接,所述电平输出端即为所述正向输入缓冲器链(B1)的输出端(Vout),所述计数值输出端(Count)即为所述计数器的输出端(Q)。