1.同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的高Q有源谐振器，其特征在于由无源谐振器和负电阻电路构成；

无源谐振器为单端口器件，由顶层至底层包括微带线结构、介质层、金属薄片、刻槽金属CSRR结构；

所述微带线结构，置于介质层的上表面，包括一个输入端口，所述的端口用于连接SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；

所述输入端口与微带线连接，所述的微带线包括微带线I和微带线II，微带线I的一端作为输入端口，另一端通过50欧姆与微带线II的一端连接，微带线II的另一端接金属补丁；

金属补丁为矩形，其中靠近微带线II的一边中间位置开有凹槽；微带线II伸入该凹槽，并通过凹槽实现与金属补丁的耦合，其中耦合系数为K1，而且微带线II距离凹槽两壁的长度相同；

金属补丁四边除凹槽的部分外，其余周边均布通孔，且在介质层、金属薄片相对应位置均开有通孔；通孔的孔直径a与孔间距b满足 且b≤2a，其中λg表示波长，以此能将SIW的辐射损耗降到最低；

所述的金属薄片，置于介质层的下表面，刻蚀有刻槽金属CSRR结构；

所述刻槽金属CSRR结构由带有开口的槽环构成，开口设置在远离输入端口端；所述位于槽环开口对面的两直角均向环内弯折，以实现最大的边缘电场效应，使得该区域电场强度最强，用以测量介质材料的介电常数；向内弯折的两直角间由多个水平翻转后“凵”结构以及用于连接相邻两“凵”结构的连接板构成；槽环的开口分别向环内外延伸，以此增强槽环与开口槽沟之间的区域磁场强度，用以测量磁介质材料的磁导率；

信号从SMA连接器接入，沿途分别经过微带线I、50欧姆电阻和微带线II，通过金属补丁流入通孔，最后接金属薄片，从而形成一个完整的通路。

2.如权利要求1所述的同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的高Q有源谐振器，其特征在于无源SIW谐振器的等效电路模型等效为Lr、Cr和Rr的串联电路，微带线I 50Ω的特性阻抗等效为ZL，微带线II与凹槽之间的耦合系数为K1，负电阻Rneg与无源SIW谐振器之间的耦合系数为K2，进而无源SIW谐振器耦合负电阻Rneg构成串联型负阻振荡电路；

负电阻Rneg等效负电阻电路，负电阻电路是由电阻电容和电感构成，其中场效应管ATF54143的栅极G分别与电感L1的一端、电容C2的一端相连作为负电阻电路的输出；电阻R5的一端分别与电阻R1的一端、电容C1的一端、电阻R4的一端相连并同时接地，电阻R5的另一端与场效应管ATF54143的源极S1相连；电阻R6的一端和电感L2的一端连接，电阻R6的另一端与场效应管ATF54143的源极S2相连，电感L2的另一端与电源的负极、电容C3的一端连接并接地；电感L3的一端与场效应管ATF54143的漏极D相连，电感L3的另一端分别与电阻R7的一端、电容C3的另一端相连；电阻R4的另一端与电容C2的另一端连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端、电容C1的另一端、电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与电感L1的另一端连接，电阻R2的另一端与电阻R7的另一端连接后接电源正极；

R6＝50Ω是偏置电阻，它能给场效应管ATF54143提供合适的负的偏置电压Vgs，L2＝

0.45nH是串联的电导，L2的合理取值能使谐振器保持稳定，并能防止不必要的振荡。

3.如权利要求1或2所述的同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的高Q有源谐振器，其特征在于微带线I的线宽wt1为3.23mm，微带线II的线宽wt2为1mm，微带线II距离金属补丁凹槽两壁的长度wt3＝0.5mm，两壁的高度wt4＝3.0mm；

槽环开口的空隙宽度g为0.3mm，槽环开口线宽w0为0.3mm；

槽环“凵”结构线宽w1为0.3mm，槽环“凵”结构两臂高度P1为1.7mm，宽度为0.9mm，相邻两“凵”结构间连接板的长度为0.9mm；

槽环的长c+1/2(l-e)为7.055mm，宽d为10mm；

通孔的孔径a＝1mm，孔间距b＝2mm。